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J-GLOBAL ID:202202233624005242   整理番号:22A1161849

化学蒸着によるグラフェン成長の機構のその場研究【JST・京大機械翻訳】

In Situ Investigating the Mechanism of Graphene Growth by Chemical Vapor Deposition
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 528-540  発行年: 2022年 
JST資料番号: W6388A  ISSN: 2639-4979  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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化学蒸着(CVD)によるグラフェンの制御合成は,その実用化のために重要である。成長機構の詳細な理解は,基礎研究を効果的に促進し,グラフェンの合成を導くことができる。in situ特性化技術は,リアルタイム条件下での反応手順と機構へのマルチスケール洞察を提供する強力な道具として期待される動的成長プロセスをリアルタイムに監視する。このレビューにおいて,グラフェンの成長過程を捕えるために使用されるin situ技術の簡潔な紹介を与えた。これに基づき,成長機構を考察した。最後に,この新たな研究分野における課題と将来展望への洞察を展望した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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