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J-GLOBAL ID：202202233722981529   整理番号：22A0834183

CaとNbとの共ドーピングによるBi_0.5Na_0.5TiO_3系セラミックスのリラクサ制御と絶縁破壊強度の改善【JST・京大機械翻訳】

Relaxor regulation and improvement of breakdown strength for Bi_0.5Na_0.5TiO₃-based ceramics by co-doping with Ca and Nb

著者 (10件)： Jiang Zehua (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Jiang Zehua (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Yuan Ying (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Yuan Ying (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Yang Hongcheng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Yang Hongcheng (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Li Enzhu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Li Enzhu (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuren (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China) ,  Zhang Shuren (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, People’s Republic of China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 7  ページ： 9702-9709  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,緻密なペロブスカイト構造セラミック(Na_0.3Bi_0.3Ba_0.04Sr_0.36)_1-xCa_xTi_1-xNb_xO_3を調べた。長距離秩序構造は構造歪みによって破壊され,リラクサ挙動はCaとNbとの共ドーピング後に増強された。一方,酸素空孔の拘束は,210から280kV/cmの範囲の破壊強度の増加とともに,低い漏れ電流密度と小さな粒径をもたらした。速い放電速度(t_0.9-180ns),高い電力密度(P_D=56.15MW/cm3),優れたサイクル安定性および熱安定性と共に,x=0.03で高効率(η=91.04%)の高い回復エネルギー密度(W_rec=2.94J/cm3)が得られた。特性は,パルス電力システムにおける有望で実用的な展望を保証した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *絶縁耐力 ,  *セラミック ,  放電 ,  *カルシウム ,  *ニオブ ,  *ドーピング ,  長範囲規則度 ,  エネルギー密度 ,  パルス ,  *破壊強さ ,  *リラクサ
準シソーラス用語： ペロブスカイト型構造 ,  高効率 ,  電力密度 ,  *共ドーピング ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： リードフリー ,  リラクサ強誘電体 ,  酸素空孔 ,  エネルギー貯蔵

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ca ,  Nb ,  共ドーピング ,  セラミックス ,  リラクサ ,  絶縁破壊強度