文献

J-GLOBAL ID：202202233752915320   整理番号：22A0636229

優れた性能を有する光触媒とエネルギー貯蔵のための二成分五角形オーセチック材料【JST・京大機械翻訳】

Binary pentagonal auxetic materials for photocatalysis and energy storage with outstanding performances

著者 (8件)： Cheng Zishuang (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China. [e-mail] [e-mail] [e-mail]) ,  Zhang Xiaoming ,  Zhang Hui ,  Liu Heyan ,  Yu Xiao ,  Dai Xuefang ,  Liu Guodong ,  Chen Guifeng
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 14  号： 5  ページ： 2041-2051  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペンタ-グラフェンの発見以来,二次元(2-D)五角形構造材料は,それらのユニークな構造,および付随する物理的性質のため,望ましい性能を有することが期待されている。したがって,第一原理計算に基づいて,著者らは,構造,安定性,機械的および電子物性に関する系統的研究,および2成分組成,すなわち,Penta-C_nX_6-n(n=1,2,4,5;X=B,N,Al,Si,P,Ga,Ge,As)を有する炭素ベース五角形材料に関する潜在的用途を,実行したものである。”Penta-C_nX_6-n(n=1,2,4,5;X=B,N,Al,Si,P,Ga,Ge,As)。32のPenta-C_nX_6-nのうち11は良好な安定性を有し,さらに研究できることを見出した。それらの中で,Penta-C_4P_2とPenta-C_5Pは金属であり,他は間接バンドギャップ半導体であり,HSE06汎関数によって計算したバンドギャップは1.37~6.43eVの範囲であり,赤外-可視紫外領域をカバーしている。さらに,金属Penta-C_nX_6-nは,高い貯蔵容量を有するNaイオン電池(NIBs)の有望なアノード材料になることができ,一方,いくつかの半導体Penta-C_nX_6-nは,優れた水分解光触媒になることが分かった。さらに,Penta-C_4P_2とPenta-C_2Al_4は,それぞれ-0.083と-0.077の明白な面内負のポアソン比(NPR)を有することが分かった。より興味深いことに,Penta-C_2Al_4は,基本的なメカニズムを有する固有の面内半負のPoisson比(H-NPR)を示すことを見出した。これらの優れた性能は,優れた応用展望を有する二成分五角形材料を与える。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤外線 ,  半導体 ,  炭素 ,  汎関数 ,  Poisson比 ,  二次元 ,  *光触媒 ,  バンドギャップ ,  グラフェン
準シソーラス用語： 紫外領域 ,  第一原理計算 ,  水分解 ,  アノード材料【電池】 ,  電子物性 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光触媒 ,  エネルギー貯蔵 ,  二成分 ,  五角形 ,  オーセチック材料