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J-GLOBAL ID：202202233758785335   整理番号：22A0311097

ポロシフィケーションと金属堆積による半導体表面の親水性/疎水性度の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling the Degree of Hydrophilicity/Hydrophobicity of Semiconductor Surfaces via Porosification and Metal Deposition

著者 (4件)： Monaico E. V. (Technical University of Moldova, National Center for Materials Study and Testing, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Busuioc S. (Technical University of Moldova, National Center for Materials Study and Testing, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Tiginyanu I. M. (Technical University of Moldova, National Center for Materials Study and Testing, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Tiginyanu I. M. (Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova)
資料名： IFMBE Proceedings  (IFMBE Proceedings)
巻： 87  ページ： 62-69  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5069A  ISSN： 1680-0737  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,親水性および疎水性挙動を示すバルクGaAsウエハおよび金修飾GaAs表面の系統的研究を示した。濡れ特性は,簡単な電気化学エッチングによって超親水性と超親水性に切り替えられ,工学的多孔性形態を提供した。結果は,GaAs表面の開発に対する興味深い技術的展望を開いた。Copyright The Author(s), under exclusive license to Springer Nature Switzerland AG 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  接触角 ,  電着 ,  濡れ ,  表面 ,  *金 ,  ヒ化ガリウム ,  多孔性 ,  *親水性 ,  *疎水性 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： 超親水性 ,  電気化学エッチング ,  半導体表面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 濡れ ,  多孔質 ,  電着 ,  接触角 ,  親水性-疎水性

分類 (1件)： 固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 堆積 ,  半導体表面 ,  親水性 ,  疎水性度