文献

J-GLOBAL ID：202202233968200694   整理番号：22A0577146

Ti遷移層により誘起されたセラミック膜における高密度積層欠陥の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of high-density stacking faults in ceramic films induced by Ti transition layer

著者 (7件)： Chen Yanmeng (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Corrosion and Protection Center, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Chen Yanmeng (The State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Guo Tao (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Corrosion and Protection Center, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Guo Tao (The State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Pang Xiaolu (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Corrosion and Protection Center, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Pang Xiaolu (The State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Qiao Lijie (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Corrosion and Protection Center, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 211  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 積層欠陥と双晶はセラミック材料で形成することが極めて困難である。同時に,以前の研究は膜-基板結合力を改善するために金属転移層を使用したが,膜構造と機械的性質への影響は無視した。本研究は,多数の積層欠陥が(110)MgO基板上に成長したTi遷移層中に形成され,高い積層欠陥エネルギーを有する窒化物セラミック膜中に高密度のタッキング欠陥を誘起し,それによってセラミック膜のナノインデンテーション硬度を増加させることを示した。Ti遷移層中の積層欠陥がセラミック膜に入ることができるかどうかは積層欠陥密度に依存する。本研究は,機械的性質を改善するために,高い積層欠陥エネルギーを有するセラミックにおける積層欠陥と双晶の形成を誘導する方法を研究するために非常に重要である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的性質 ,  *セラミック ,  双晶 ,  *チタン ,  窒化物 ,  酸化マグネシウム ,  膜構造 ,  硬度 ,  *積層欠陥 ,  積層欠陥エネルギー ,  付着力 ,  *セラミック膜 ,  ナノインデンテーション
準シソーラス用語： 遷移層 ,  セラミック薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： セラミック薄膜 ,  積層欠陥 ,  遷移層 ,  硬度 ,  微細構造

分類 (1件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  遷移層 ,  誘起 ,  セラミック膜 ,  積層欠陥