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J-GLOBAL ID：202202234042314803   整理番号：22A0753032

ドーパントフリーGaAs/AlGaAsにおける二次元電子ガスに対するバイアスおよびバイアスのない照明の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of biased and unbiased illuminations on two-dimensional electron gases in dopant-free GaAs/AlGaAs

著者 (36件)： Shetty A. (Institute for Quantum Computing, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Shetty A. (Department of Chemistry, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Sfigakis F. (Institute for Quantum Computing, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Sfigakis F. (Department of Chemistry, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Sfigakis F. (Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom) ,  Sfigakis F. (Northern Quantum Lights Inc., Waterloo N2B 1N5, Canada) ,  Mak W. Y. (Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom) ,  Das Gupta K. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 40007, India) ,  Buonacorsi B. (Institute for Quantum Computing, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Buonacorsi B. (Department of Physics and Astronomy, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Tam M. C. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Kim H. S. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Farrer I. (Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom) ,  Farrer I. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, United Kingdom) ,  Croxall A. F. (Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom) ,  Beere H. E. (Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom) ,  Hamilton A. R. (School of Physics, University of New South Wales, Sydney NSW 2052, Australia) ,  Pepper M. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Austing D. G. (Security and Disruptive Technologies Research Centre, National Research Council of Canada, Ottawa, K1A 0R6, Canada) ,  Studenikin S. A. (Security and Disruptive Technologies Research Centre, National Research Council of Canada, Ottawa, K1A 0R6, Canada) ,  Sachrajda A. (Security and Disruptive Technologies Research Centre, National Research Council of Canada, Ottawa, K1A 0R6, Canada) ,  Reimer M. E. (Institute for Quantum Computing, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Reimer M. E. (Northern Quantum Lights Inc., Waterloo N2B 1N5, Canada) ,  Reimer M. E. (Department of Physics and Astronomy, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Reimer M. E. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Wasilewski Z. R. (Institute for Quantum Computing, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Wasilewski Z. R. (Northern Quantum Lights Inc., Waterloo N2B 1N5, Canada) ,  Wasilewski Z. R. (Department of Physics and Astronomy, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Wasilewski Z. R. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Wasilewski Z. R. (Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Ritchie D. A. (Cavendish Laboratory, University of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom) ,  Baugh J. (Institute for Quantum Computing, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Baugh J. (Department of Chemistry, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Baugh J. (Northern Quantum Lights Inc., Waterloo N2B 1N5, Canada) ,  Baugh J. (Department of Physics and Astronomy, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada) ,  Baugh J. (Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, Waterloo N2L 3G1, Canada)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 105  号： 7  ページ： 075302  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不偏(ゲート接地)およびバイアス(正または負電圧のゲート)条件下で,種々の深さのドーパントフリー二次元電子ガス(2DEG)上で低温において照明を行った。表面から70nm以上離れた2DEGにおける非バイアス照射は,与えられた電子密度で移動度の利得をもたらし,主にバックグラウンド不純物の還元によって駆動される。表面に近い2DEGでは,不偏照明は,表面電荷密度の増加により駆動される移動度損失をもたらす。正の印加ゲート電圧で行ったバイアス照明は,移動度利得をもたらすが,負の印加電圧で行ったものは,移動度損失をもたらす。移動度利得(損失)の大きさは2DEG深さで弱くなり,表面電荷密度の減少(増加)により駆動される。注目すべきことに,この移動度利得/損失が,n型とp型オーミック接触の両方が存在する場合,適切なゲート電圧で別のバイアスされた照明を実行することによって完全に可逆的である。実験結果をBoltzmann輸送理論でモデル化し,可能な機構を考察した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  低温 ,  電子密度 ,  不純物 ,  輸送理論 ,  接地 ,  *ヒ化ガリウム ,  利得 ,  Ohm接触 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ゲート【半導体】 ,  *二次元電子ガス
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  ゲート電圧 ,  表面電荷密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドーパント ,  GaAs ,  AlGaAs ,  二次元電子ガス ,  バイアス ,  照明