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J-GLOBAL ID：202202234114991623   整理番号：22A0444725

全ホウ素フラーレン(B40)に関するレビュー:センシングとデバイス応用のための有望な材料【JST・京大機械翻訳】

A review on all boron fullerene (B40): A promising material for sensing and device applications

著者 (3件)： Kaur Harleen (Department of Electronics and Technology, Guru Nanak Dev University, Amritsar, India) ,  Kaur Jupinder (Department of Electronics and Technology, Guru Nanak Dev University, Amritsar, India) ,  Kumar Ravinder (Department of Electronics and Technology, Guru Nanak Dev University, Amritsar, India)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 48  号： P5  ページ： 1095-1102  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子は,ナノスケール電子デバイスを開発するための,関与オプションである。分子エレクトロニクスの分野は,分子電子部品を製造するためのビルディングブロックとして分子を一緒に置き,モルエレクトロニクスとして参照される。モルエレクトロニクスの分野は,炭素フラーレンの発見の後,上昇している変化に直面した。その後,ホウ素は,周期的テーブル中の炭素の最も軽い隣接原子であるので,より新しいフラーレンであることが分かった。ホウ素フラーレンの中で,B40が最も安定なものであった。B_40は異常な形状を持ち,これらが互いに相互作用する可能性を持ち,一方,この反応性特性は,鎖における結合に対してボロスフェアを良好にする。それは,B40ケージが酸性と塩基性サイトの両方を有するというユニークな特性を持っている。その導電特性は,周期的テーブルから異なる要素をドーピングすることによって効果的に強化することができ,その結果,エネルギーギャップは減少した。遷移金属との対照的なB40はそのケージ内に分子の貯蔵をもたらすことが分かった。エネルギーギャップを変えることで,非線形光学特性を描写する。それは,これらのデバイスが低電圧用途のための例外的に良い候補であるので,固定ボロスフェアデバイスを作るとき,優れた電流特性を示す。B40の特性は,原子の内包と外面体配置によって変えることができる。その反応性により,その電子不足と軽量化による電池材料として分子ワイヤとして使用でき,また,ナノ触媒としても使用することができ,従って,例外的に良好な選択になると推測した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  遷移金属 ,  相互作用 ,  電流 ,  軽量化 ,  炭素 ,  *ホウ素 ,  ドーピング ,  電子技術 ,  *フラーレン ,  導電性
準シソーラス用語： ビルディングブロック ,  ケージ ,  ナノ触媒 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 分子エレクトロニクス ,  フラーレン ,  ボロスフェア(B40) ,  ナノ構造と電子物性

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホウ素 ,  フラーレン ,  レビュー ,  センシング ,  応用