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J-GLOBAL ID：202202234202374169   整理番号：22A0428981

種々の方位のシリコンウエハの亀裂抵抗評価におけるAFMの使用【JST・京大機械翻訳】

The use of AFM in assessing the crack resistance of silicon wafers of various orientations

著者 (9件)： Lapitskaya Vasilina A. (Nanoprocesses and Technology Laboratory, A.V. Luikov Heat and Mass Transfer Institute of the National Academy of Science of Belarus, 15 P. Brovki str., 220072 Minsk, Belarus) ,  Kuznetsova Tatyana A. (Nanoprocesses and Technology Laboratory, A.V. Luikov Heat and Mass Transfer Institute of the National Academy of Science of Belarus, 15 P. Brovki str., 220072 Minsk, Belarus) ,  Khabarava Anastasiya V. (Nanoprocesses and Technology Laboratory, A.V. Luikov Heat and Mass Transfer Institute of the National Academy of Science of Belarus, 15 P. Brovki str., 220072 Minsk, Belarus) ,  Chizhik Sergei A. (Nanoprocesses and Technology Laboratory, A.V. Luikov Heat and Mass Transfer Institute of the National Academy of Science of Belarus, 15 P. Brovki str., 220072 Minsk, Belarus) ,  Aizikovich Sergei M. (Research and Education Center “Materials”, Don State Technical University, 1 Gagarin sq., 344003 Rostov-on-Don, Russia) ,  Sadyrin Evgeniy V. (Research and Education Center “Materials”, Don State Technical University, 1 Gagarin sq., 344003 Rostov-on-Don, Russia) ,  Mitrin Boris I. (Research and Education Center “Materials”, Don State Technical University, 1 Gagarin sq., 344003 Rostov-on-Don, Russia) ,  Sun Weifu (State Key Laboratory of Explosion Science and Technology, Beijing Institute of Technology, 100081 Beijing, China) ,  Sun Weifu (Beijing Institute of Technology Chongqing Innovation Center, 401120 Chongqing, China)
資料名： Engineering Fracture Mechanics  (Engineering Fracture Mechanics)
巻： 259  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0119A  ISSN： 0013-7944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウエハの耐亀裂性は,ビーム要素を含むMEMS技術の開発において,重要な役割を果たす。本研究では,この特性をビッカースチップ押込法を用いて測定した。(100),(110)および(111)結晶方位のシリコンウエハの臨界応力拡大係数K_ICおよび破壊エネルギーG_ICを評価した。測定は原子間力顕微鏡(AFM)を用いてインデントのイメージングによって補足した。これらのパラメータと比表面エネルギー,Young率Eおよび微小硬さHとの相関を調べた。EとHの値はナノインデンテーションによって評価した。(100),(110)および(111)配向のシリコンウエハの負荷に対するK_ICおよびG_ICの依存性を得た。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Young率 ,  *亀裂 ,  微小硬さ ,  表面エネルギー ,  応力拡大係数 ,  *ケイ素 ,  結晶方位 ,  破壊靱性 ,  画像処理 ,  臨界 ,  破壊エネルギー ,  *耐亀裂性 ,  原子間力顕微鏡 ,  MEMS
準シソーラス用語： *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： シリコン ,  配向 ,  原子間力顕微鏡 ,  亀裂 ,  破壊靭性 ,  特定の表面エネルギー ,  表面損傷 ,  破壊エネルギー

分類 (1件)： 金属材料  (HC06020Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 方位 ,  シリコンウエハ ,  亀裂抵抗 ,  評価 ,  AFM