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J-GLOBAL ID：202202234337484269   整理番号：22A0924596

GaAs(001)基板上に分子ビームエピタクシーで成長させた自己集合InGaAs量子ドットの構造的,形態学的及び光学的性質に及ぼすビスマス界面活性剤の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of bismuth surfactant on the structural, morphological and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (001) substrates

著者 (14件)： Alghamdi Haifa (Physics Department, Faculty of Sciences, AL Faisaliah, University of Jeddah, Ministry of Education Kingdom of Saudi Arabia, Jeddah 21959, Saudi Arabia) ,  Alghamdi Haifa (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK) ,  Alhassni Amra (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK) ,  Alhassni Amra (Department of Physics, College of Science, Al-Baha University, 65779-77388 Al-Aqiq, Saudi Arabia) ,  Alhassan Sultan (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK) ,  Almunyif Amjad (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK) ,  Klekovkin Alexey V. (P.N. Lebedev Physical Institute Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia) ,  Klekovkin Alexey V. (Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics of Russian Academy of Sciences, Moscow 117105, Russia) ,  Trunkin Igor N. (National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow 123182, Russia) ,  Vasiliev Alexander L. (National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow 123182, Russia) ,  Galeti Helder V.A. (Electrical Engineering Department, Federal University of Sao Carlos, 13565-905 Sao Carlos, SP, Brazil) ,  Gobato Yara Galvao (Physics Department, Federal University of Sao Carlos, 13565-905 Sao Carlos, SP, Brazil) ,  Kazakov Igor P. (P.N. Lebedev Physical Institute Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia) ,  Henini Mohamed (School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 905  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,分子ビームエピタクシーにより種々の成長温度(435,467および495°C)でGaAs(001)基板上に成長した5単層自己集合InGaAs量子ドット(QDs)の構造的,形態的および光学的特性に及ぼすBi界面活性剤の影響を調べた。ビスマスへの曝露の有無で成長させた2種類のInGaAs QD試料を,原子間力顕微鏡,走査Electron顕微鏡,透過Electron顕微鏡および光ルミネセンス(PL)を用いて研究した。著者らの結果は,Bi媒介成長が,Biなしで成長したInGaAs/GaAs制御試料と比較して,QD PLピーク強度の1.7倍の増強を含むInGaAs QDのいくつかの特性の改善された制御を提供することを実証した。さらに,Bi界面活性剤がQDsのサイズにかなり影響するBiを用いて,InGaAs QDを成長させたとき,約40meVのPLピークエネルギーの赤方偏移も観測された。さらに,Bi界面活性剤で成長させたQDは,PLピークの半値全幅(FWHM)で,より狭い完全Widthの観測によって実証されたように,より高いサイズ均一性を示した。また,Bi界面活性剤と基板温度の両方がInGaAs QDの密度を制御するのに重要な役割を果たすことを示した。QD密度は,Biフラックス下,最低温度43°Cで成長させた試料で8.9×1010cm-2(対照試料)から2.0×1010cm-2に減少した。自己集合QDの性質を制御し,改良するこれらのアプローチは,高い光学効率と低いQD密度を必要とするデバイス応用にとって重要である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光学的性質 ,  赤方偏移 ,  光ルミネセンス ,  *ビスマス ,  *ヒ化ガリウム ,  *界面活性剤 ,  最低気温 ,  *MBE成長 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  原子間力顕微鏡 ,  基板温度 ,  *量子ドット ,  FWHM ,  *モルフォロジー ,  *自己集合

著者キーワード (6件)： InGaAs/InGaBiAs ,  QD ,  Bi界面活性剤 ,  PL ,  AFM ,  TEM

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： GaAs ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  自己集合 ,  InGaAs ,  量子ドット ,  形態学 ,  光学的性質 ,  ビスマス ,  界面活性剤