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J-GLOBAL ID：202202234477504866   整理番号：22A0637778

異なるエッジ不動態化を有するバナジウムドープジグザグフォスフォレンナノリボンにおける二重スピンフィルタリングと負性微分抵抗効果【JST・京大機械翻訳】

Dual spin filtering and negative differential resistance effects in vanadium doped zigzag phosphorene nanoribbons with different edge passivations

著者 (5件)： Zhu H. H. (College of Physics and Electronic Science, Hubei Normal University, Huangshi 435002, China) ,  Liu N. (College of Physics and Electronic Science, Hubei Normal University, Huangshi 435002, China) ,  Feng Y. L. (College of Physics and Electronic Science, Hubei Normal University, Huangshi 435002, China) ,  Yao K. L. (School of Physics and Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Wang S. Y. (College of Physics and Electronic Science, Hubei Normal University, Huangshi 435002, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 015011-015011-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平衡Green関数と組み合わせた密度汎関数理論を適用することにより,異なるエッジ不動態化を有するVドープジグザグホスホレンナノリボン(ZPNR)の電子および輸送特性を調べた。結果は,バナジウムドープZPNRs(V-ZPNRs)の電子と輸送特性がエッジ不動態化タイプによって調整できることを示した。硫黄原子によって不動態化されたV-ZPNRは,バードのものより強い導電性を有し,水素とハロゲン(FとCl)原子によるエッジ不動態化は,磁性金属から磁性半導体へのV-ZPNRsを変換できる。さらに,水素とハロゲン原子によるエッジ不動態化により,V-ZPNRは二重スピン分極率と負の微分抵抗効果を示した。この知見は,ZPNRsの電子輸送特性の調節における理論的支持を提供し,それはホスホレンベースのスピントロニクスデバイスを設計するのに有用である。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Green関数 ,  電子 ,  *負性抵抗 ,  水素 ,  *バナジウム ,  *不動態化 ,  *フィルタリング ,  近似法 ,  *ドーピング ,  磁性半導体 ,  *リボン結晶 ,  密度汎関数法 ,  *黒リン ,  *ナノ構造 ,  導電性 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  輸送特性 ,  *負性微分抵抗 ,  非平衡Green関数 ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： エッジ ,  不動態化 ,  スピンフィルタリング ,  負性微分抵抗