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J-GLOBAL ID：202202234614406658   整理番号：22A0906320

SiCN/Siヘテロ構造における電荷輸送【JST・京大機械翻訳】

Charge transport in SiCN/Si heterostructures

著者 (7件)： Sukach A.V. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS Ukraine, 41 Nauki pr., 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Tetyorkin V.V. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS Ukraine, 41 Nauki pr., 03028 Kyiv, Ukraine) ,  Тkachuk A.I. (V. Vynnychenko Central Ukrainian State Pedagogical University, 1 Shevchenka Str., 25006 Kropyvnytskyi, Ukraine) ,  Kozak A.O. (Institute for Problems of Materials Sciences NAS of Ukraine, 3 Krzhyzhanovsky Str., 03142 Kiev, Ukraine) ,  Kozak A.O. (Centre for advanced materials application SAS, Dubravska cesta 5807/9 , 845 11 Bratislava, Slovakia) ,  Porada O.K. (Institute for Problems of Materials Sciences NAS of Ukraine, 3 Krzhyzhanovsky Str., 03142 Kiev, Ukraine) ,  Ivashchenko V.I. (Institute for Problems of Materials Sciences NAS of Ukraine, 3 Krzhyzhanovsky Str., 03142 Kiev, Ukraine)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 143  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 定常状態空間電荷制限(SCL)電流を,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)法によりp型伝導率の単結晶シリコン基板上に蒸着したアモルファスシリコン炭窒化物(a-SiCN)膜で研究した。SCL電流の機構に及ぼす堆積時間と熱アニーリングの影響を研究した。SCL電流は,調製条件に依存して,浅いまたは深いトラップによって制限されることを示した。検討中の膜のトラップが,おそらくSi-H結合の分解によるダングリングボンド欠陥と関連することを,実験証拠を得た。SCL電流測定からバンドとトラップパラメータ(電子の移動度,トラップ状態の密度とエネルギー)を推定した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  空間電荷 ,  空間電荷制限電流 ,  焼なまし ,  電子 ,  *電流 ,  *素子構造 ,  機構 ,  プラズマCVD ,  ダングリングボンド ,  電流測定 ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： *電荷輸送 ,  *ヘテロ構造 ,  定常状態 ,  熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非晶質SiCN膜 ,  トラップ ,  バンド状態 ,  空間電荷制限電流 ,  真空アニーリング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ヘテロ構造 ,  電荷輸送