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J-GLOBAL ID：202202234934570802   整理番号：22A0562023

高エントロピー合金FeCoNiCuGeの反応性スパッタリングにより作製した薄膜:光学的,電気的および構造的性質【JST・京大機械翻訳】

Thin films made by reactive sputtering of high entropy alloy FeCoNiCuGe: Optical, electrical and structural properties

著者 (16件)： Mayandi J. (Department of Physics, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway) ,  Mayandi J. (Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, 0318 Oslo, Norway) ,  Mayandi J. (Department of Materials Science, School of Chemistry, Madurai Kamaraj University, Madurai, 625021, India) ,  Finstad T.G. (Department of Physics, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway) ,  Finstad T.G. (Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, 0318 Oslo, Norway) ,  Dahl O. (SINTEF Industry, Department of Materials and Nanotechnology, 7034 Trondheim, Norway) ,  Vajeeston P. (Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, 0318 Oslo, Norway) ,  Vajeeston P. (Department of Chemistry, University of Oslo, 0315 Oslo, Norway) ,  Schrade M. (Department of Physics, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway) ,  Schrade M. (SINTEF Industry, Department of Sustainable Energy Technology, 0373 Oslo, Norway) ,  Lovvik O.M. (Department of Physics, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway) ,  Lovvik O.M. (SINTEF Industry, Department of Sustainable Energy Technology, 0373 Oslo, Norway) ,  Diplas S. (Department of Chemistry, University of Oslo, 0315 Oslo, Norway) ,  Diplas S. (SINTEF Industry, Department of Sustainable Energy Technology, 0373 Oslo, Norway) ,  Carvalho P.A. (SINTEF Industry, Department of Sustainable Energy Technology, 0373 Oslo, Norway) ,  Carvalho P.A. (CeFEMA, Instituto Superior Tecnico (IST), Universidade de Lisboa, Lisboa 1049-001, Portugal)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 744  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 膜をAr/O_2プラズマ中で高エントロピー合金(HEA)FeCoNiCuGeターゲットから反応性スパッタした。ゼロO_2ガス流の場合,FeCoNiCuGeのHEA膜が得られた。これらの蒸着HEA膜は面心立方(FCC)構造を持ち,多くの平面欠陥を含む柱状結晶粒を持つ集合組織を示した。膜の残留電気抵抗率は約225μΩcmであり,抵抗率の温度依存性は金属様であった。抵抗率の温度係数は小さい(4.5ppm/K)。Hall係数は正であるが,Seebeck係数は負である。これは,バンド構造計算によって示されるように,Fermi準位で正孔と電子の両方を有する電子構造から生じると解釈される。HEAFCC構造は成形ガス中でのアニーリングで不安定であり,脱混合を示した。また,O_2中でのアニーリングは,表面に成長するCuOの厚い層を有する不均一酸化物をもたらした。酸素流による反応性スパッタリングの場合,スパッタ条件に依存してナノ結晶または非晶質のいずれかの酸化物が得られた。これらは高エントロピー酸化物(HEO)として分類でき,赤外領域で約1.9eVの光学バンドギャップと高い透過率を持つ。非晶質HEOは,Efros-Shklovskii理論によって記述される可変範囲ホッピングにより解釈された電気伝導を有する。HEO膜は成形ガス中で還元された。非晶質HEO膜では,30~500°Cでの還元は六方晶Ni_5Ge_2とFCC相をもたらした。ナノ結晶HEOでは,還元はFCCと体心立方HEA金属相の生成をもたらした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エントロピー ,  プラズマ ,  焼なまし ,  正孔 ,  ターゲット ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  酸素 ,  温度依存性 ,  非晶質 ,  Fermi準位 ,  気体流 ,  六方晶系 ,  ホッピング伝導 ,  ナノ結晶

著者キーワード (5件)： 高エントロピー合金 ,  薄膜 ,  高エントロピー酸化物 ,  電気的性質 ,  スパッタ蒸着

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高エントロピー合金 ,  反応性スパッタリング ,  作製 ,  薄膜 ,  光学 ,  構造的性質