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J-GLOBAL ID：202202235026926271   整理番号：22A1100908

電気粒子の濃度間の相互相関に基づく方法を用いたHgCdTe構造における少数キャリア寿命の計算【JST・京大機械翻訳】

Calculation of Minority Carriers’ Lifetime in HgCdTe Structures by Using the Method Based on Mutual Correlation Between the Concentration of Electrical Particles

著者 (3件)： Jozwikowski K. (Institute of Materials Science and Engineering, Military University of Technology, Warsaw, Poland) ,  Jozwikowska A. (Faculty of Applied Informatics and Mathematics, Warsaw University of Life Science, Warsaw, Poland) ,  Markowska O. (Dell Sp. z o.o. ul, Warsaw, Poland)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 1995-2001  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液体窒素(LN)温度でのn-およびp-型長-および中-波長赤外HgCdTe構造におけるバルク生成-再結合機構およびキャリア寿命の理論的研究を行った。本論文は,著者らの以前の研究の継続であり,電荷保存の原理から生じる電子,正孔,イオン化不純物,およびトラップ状態の濃度間の相互相関を考慮して,過剰少数キャリア寿命を計算するための方法を提示する。低固有濃度のHgCdTe構造中の浅い不純物状態を含む再結合は少数キャリアの寿命に著しい影響を与えることを示した。これはp型およびn型材料の両方に適用する。バンド間過程によって決定されたキャリア寿命の計算結果:放射,Auger1および7,不純物を含む再結合,ならびに水銀空孔に関連するShockley Read Hall(SRH)機構を他の著者が提示した実験データと比較した。アメリカの研究者によってなされた公表計算を分析することによって,Auger過程に対する重なり積分|F_1F_2|の値を決定し,実験値と著者らの計算の良好なコンプライアンスを得ることができた。本論文では,水銀空孔の関与によるSRH再結合の断面積を推定した。これらの値は他の研究者によって以前に提示された値より低かった。実験データによる計算結果の検証により,提案した方法の有効性を確認した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化 ,  *キャリア寿命 ,  再結合 ,  正孔 ,  赤外線 ,  断面積 ,  電荷 ,  不純物 ,  不純物準位 ,  水銀 ,  波長 ,  コンプライアンス ,  *少数キャリア ,  *テルル化カドミウム水銀
準シソーラス用語： *少数キャリア寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 相互相関 ,  HgCdTe ,  少数キャリア寿命 ,  計算