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J-GLOBAL ID:202202235146225819   整理番号:22A0848214

ソフト故障モードを持つ垂直GaNフィン-JFETにおけるロバストなスルーフィンアバランシェ【JST・京大機械翻訳】

Robust Through-Fin Avalanche in Vertical GaN Fin-JFET With Soft Failure Mode
著者 (7件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 366-369  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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垂直GaNパワーFin-JFETにおける新しいアバランシェモードであるフィンチャネルを通るアバランシェの固有耐久性を,単一パルスと反復アバランシェ回路試験を通して研究した。アバランシェ中のゲートの旋削により,主要なアバランシェ電流経路はp-GaNゲートからn-GaNフィンチャネルに移動する。単一パルス臨界アバランシェエネルギー密度(E_AVA)は10J/cm2と測定され,これはGaNトランジスタで報告された最高値である。Fin-JFETはE_AVAの70%で3700の反復アバランシェパルスを越えた。それは,単一および反復アバランシェにおいて,故障対開路署名を示した。このソフト破壊モードは,デバイスが,システムロバスト性のために非常に望ましい,その完全な絶縁破壊電圧を保持することを可能にする。対照的に,Fin-JFETにおけるスルーゲートアバランシェおよびSiCトランジスタにおける報告されたアバランシェは,すべて破壊的,故障-短絡特性を示した。これらの結果は,パワーデバイスにおけるソフトアバランシェ故障の実行可能性を示し,GaNデバイスに対する重要なロバスト性基準を提供し,主要なブロッキング接合から離れてアバランシェ経路を移動させる基本的な優位性を示唆した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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