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J-GLOBAL ID：202202235165978417   整理番号：22A0430061

選択温度および/またはCu層厚みでのSnS-Cu層の硫化によるCu_2SnS_3,Cu_3SnS_4およびCu_4SnS_4薄膜の合成【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of Cu₂SnS₃, Cu₃SnS_4, and Cu₄SnS₄ thin films by sulfurization of SnS-Cu layers at a selected temperature and /or Cu layers thickness

著者 (6件)： Avellaneda D. (Facultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Av. Pedro de Alba s/n, Ciudad Universitaria, San Nicolas de los Garza, Nuevo Leon, 66450, Mexico) ,  Paul Albert (Facultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Av. Pedro de Alba s/n, Ciudad Universitaria, San Nicolas de los Garza, Nuevo Leon, 66450, Mexico) ,  Shaji S. (Facultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Av. Pedro de Alba s/n, Ciudad Universitaria, San Nicolas de los Garza, Nuevo Leon, 66450, Mexico) ,  Shaji S. (Centro de Innovacion, Investigacion y Desarrollo en Ingenieria y Tecnologia (CIIDIT), Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Apodaca, 66600, Nuevo Leon, Mexico) ,  Krishnan B. (Facultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Av. Pedro de Alba s/n, Ciudad Universitaria, San Nicolas de los Garza, Nuevo Leon, 66450, Mexico) ,  Krishnan B. (Centro de Innovacion, Investigacion y Desarrollo en Ingenieria y Tecnologia (CIIDIT), Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Apodaca, 66600, Nuevo Leon, Mexico)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 306  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元Cu-Sn-S系の3相を化学浴析出硫化スズ(SnS)と熱蒸着銅の薄膜を用いて合成した。異なる厚さ(125-175nm)のCu層をSnS薄膜(250nm)上に堆積し,SnS:Cuスタックを40-600°Cの温度範囲で硫化した。Cu-Sn-Sの3つの異なる三元を得た。Cu_2SnS_3(CTS)薄膜を,500°Cで硫化したSnS_(250nm)上に125nmの銅に対して形成した。正方晶結晶構造をX線回折(XRD)分析によりCTS薄膜について決定し,296および352cm-1の2つの特徴的なRamanピークによって確認した。光学特性は1eVに近い直接バンドギャップと1.9(Ωcm)-1の電気伝導率を示した。Cuの厚さを175nmに増加させ,硫化温度を550°Cまで増加させると,Cu_3SnS_4相(斜方晶)が生成し,これは316cm-1での強いRamanピークにより確認された。この相に対して,1.75eVの直接バンドギャップと103(Ωcm)-1のオーダーの電気伝導率が得られた。同じCu厚さ(175nm)を有するスタックの600°Cへの硫化温度の更なる増加,Cu_4SnS_4相(斜方晶)は,317/322cm-1のRaman振動ピーク,1eVの直接バンドギャップおよび10(Ωcm)-1の電気伝導率を示した。走査電子顕微鏡によるこれら3つのCTS相の形態学的分析は各相に対して明確な形態を示した。試料のX線光電子分光法(XPS)分析を元素組成と化学状態情報について行った。これは,Cu-Sn-S系の3つの安定相すべてを合成する最初の報告である。Cu_2SnS_3,Cu_3SnS_4,およびCu_4SnS_4は,類似のSnS:Cu層薄膜中の硫化温度と銅層の厚さを選択することによって,Cu_2SnS_3,Cu_3SnS_4,およびCu_4SnS_4である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  光学的性質 ,  走査電子顕微鏡 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  *スズ ,  *銅 ,  硫化物 ,  X線回折分析 ,  *硫化 ,  斜方晶系 ,  正方晶系 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： 硫化スズ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 銅スズ硫化物薄膜 ,  構造と形態 ,  化学浴堆積 ,  硫化 ,  熱蒸発 ,  Cu_2SnS_3 ,  Cu_3SnS_4とCu_4SnS_4

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩  (CD01050V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu層 ,  厚み ,  SNS ,  硫化 ,  薄膜