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J-GLOBAL ID:202202235192100698   整理番号:22A1173126

反転高分子太陽電池のためのV_2O_5-Snメッシュ電極系【JST・京大機械翻訳】

V2O5-Sn mesh electrode system for inverted polymer solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 33  号: 11  ページ: 8460-8466  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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反転高分子太陽電池(IPSC)の電極システムとしてITO上のV_2O_5-Sn二層メッシュ膜の生存率を調べた。金属「Sn’はプラズモン層として作用し,V_2O_5の電子収集能力を高めた。X線回折ピークをITO,SnおよびV_2O_5に指数付けした。V_2O_5-Sn二層メッシュ膜の直接バンドギャップは2.80eVと見積もられた。堆積したV_2O_5-Snメッシュパターンでは,ΔΨSnの孤立した球形態が観察された。V_2O_5-Sn電極は,標準ITO電極と比較して,キャリア濃度(1.789×1019cm-3)伝導率(1.218×102Scm-1)と移動度(42.51cm2V-1s-1)の改善された値を示した。V_2O_5-Sn電極を用いて作製したIPSCの電力変換効率は,Ta:V_2O_5電極を用いた効率よりも3倍高かった。このパターン化電極システムは,メッシュサイズを変化させ,その皮膚深さ以下でSn層厚さを微調整することにより,更なる改善範囲を有する。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 
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