抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
近年、人口増加に伴い、自動車排ガスの排出と化石燃料の燃焼が激化し、大気中の二酸化炭素含有量が増加し続けている。光触媒技術は上記の問題を解決する有効な方法の一つである。しかし,光触媒技術は触媒効率が低く,キャリア再結合が容易である。二次元SnNb2O6ナノシートは,材料の内部から材料表面への光生成電子の伝搬距離を効果的に短縮し,電子と正孔の光触媒における再結合を減少させる。しかし、SnNb2O6のバンドギャップは広く、可視光吸収率が低く、しかも単一の半導体材料の中で、強い酸化還元能力と高い可視光吸収能力が共存しにくい。CdSexS1-x-DETAは直接バンドギャップ半導体であり、可視光範囲内でバンドギャップを調節できる。SnNb2O6の光触媒活性と光吸収範囲を改善するために,2種類の半導体材料の間でヘテロ接合を設計するのは有効な方法である。その中で、梯子型(S型)ヘテロ接合は、光生成電子-正孔対の分離と転移を効果的に促進し、強い酸化と還元能力を維持し、電子正孔対の再結合速度を効果的に低下させながら、光触媒の活性と安定性を増強できる。S型CdSe0.8S0.2-DETA/SnNb2O6ヘテロ構造材料をソルボサーマル法で設計し,X線回折(XRD)でCdSe0.8S0.2-DETAとSnNb2O6相を除いて他の成分がないことを示した。走査電子顕微鏡(SEM)と透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて,光触媒の構造と形態を観察し,一次元のCdSe0.8S0.2-DETAが二次元SnNb2O6ナノシート上に成長することを示した。エネルギースペクトル分析により、この触媒はCdSe0.8S0.2-DETAとSnNb2O6中の元素のみを含み、その他の不純物がないことが明らかになった。TEMの格子縞はさらに二つの物質が複合的で、機械的混合物ではないことを表明した。紫外可視拡散反射スペクトル(UV-Vis)の結果は,CdSe0.8S0.2-DETAとSnNb2O6の吸収バンド端が,それぞれ1.71と2.52eVであることを示した。複合サンプル中のCdSe0.8S0.2-DETA含有量の増加に伴い、可視光吸収範囲が増大した。光電流とインピーダンス応答スペクトルにより、CdSe0.8S0.2-DETA/SnNb2O6複合材料が比較的高い光応答と低いインピーダンスを有し、電子正孔の輸送に有利であることが明らかになった。光触媒CO2還元テストの結果,30%CdSe0.8S0.2-DETA/SnNb2O6はCO2還元によるCOの収率(17.31μmol・g-1・h-1)が最も高く,それぞれSnNb2O6(6であった。2μmol・g-1・h-1)とCdSe0.8S0.2-DETA(3.6μmol・g-1・h-1)の2.8倍と4.8倍。XRDの結果は,光触媒の光触媒が新鮮な光触媒の回折ピークと一致することを示した。触媒は,4回のサイクル試験の後,安定であり,光触媒は,良い安定性を持った。XPSキャラクタリゼーションの結果,純粋なCdSe0.8S0.2-DETAとSnNb2O6に対して,複合材料中のCd,SeとSの結合エネルギーが低減し,周囲の電子密度が増大し,複合材料中のSn,NbとOの結合エネルギーが増加し,周囲の電子密度が減少することを示した。これはSnNb2O6からCdSe0.8S0.2-DETAへの電子の転移経路がS型ヘテロ接合機構に従うことを示している。まとめると、本文はS型光触媒の簡単な調製方法を提供し、エネルギーバンド構造を最適化でき、光生成キャリアの分離を促進し、高効率の二酸化炭素還元を実現することができる。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
