文献
J-GLOBAL ID:202202235526191225   整理番号:22A0706990

増強されたリチウム貯蔵を有するSiOの不均一界面由来工学電子構造【JST・京大機械翻訳】

Heterogeneous Interface-Derived Engineered Electronic Structure of SiO with Enhanced Lithium Storage
著者 (26件):
資料名:
巻:号:ページ: 750-759  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5032A  ISSN: 2574-0962  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
不均一構造の構築は,リチウムイオン電池(LIB)のアノード材料の電気化学的性能を改善する効果的な戦略の1つである。半導体材料として,SiOの幅広いバンドギャップと高い電荷移動抵抗は,リチウム貯蔵中の電子伝導とイオン拡散に大きく影響する。残念ながら,その電池性能を改善するために,SiOベースの不均一界面工学に焦点を当てた研究はほとんどない。本研究では,単純な化学蒸着戦略を利用して,LIBのアノードとしてSe被覆m-SiO(m-SiO@Se)を作製した。第一原理計算と実験結果を組み合わせて,SiOとSeの間に形成される不均一界面は,エネルギーバンド構造を最適化し,Li+拡散速度を促進し,リチウム貯蔵が強化されたSiOの電子とイオン伝導を促進することを明らかにした。本研究は,電気化学的エネルギー貯蔵における界面工学の将来の開発のための信頼できる方向と理論的サポートを提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
二次電池 

前のページに戻る