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J-GLOBAL ID：202202235683705383   整理番号：22A0104908

LiF中の真性および外因性欠陥の電子構造研究【JST・京大機械翻訳】

Electronic structure investigation of intrinsic and extrinsic defects in LiF

著者 (4件)： Modak Pampa (Radiological Safety Division, Atomic Energy Regulatory Board, India) ,  Modak Pampa (Homi Bhabha National Institute, Mumbai 400 094, India) ,  Modak Brindaban (Chemistry Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400 085, India) ,  Modak Brindaban (Homi Bhabha National Institute, Mumbai 400 094, India)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 202  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造,形成エネルギーおよび電子構造の系統的研究を,格子間原子および格子サイト位置におけるMgおよびTiによるモノドーピング,等および異なる割合における共ドーピング,およびハイブリッド密度汎関数を用いた外来元素の不在および存在における空孔欠陥を考慮してLiFに対して行った。本研究は,MgとTiの両方が格子間サイト上のLi格子サイトに対する優先性を示した。Li欠乏条件は,Liリッチ条件よりもエネルギー的により好ましく,共ドーピングは,個々のドーピングより安定であることが分かった。この条件下で,共ドープシステムにおけるLi空孔の形成が自発的であることが分かった。Li空孔のみの存在はLiF電子構造の無視できる変化をもたらした。面白いことに,MgとTiの存在下では,バンドギャップの修正によって重要な役割を果たす。本結果は,欠陥制御合成条件の合理的な設計を通してLiFの光学的性質を調整する重要な洞察を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *電子構造 ,  チタン ,  マグネシウム ,  *リチウム ,  ドーピング ,  格子間原子 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 共ドーピング ,  形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： LiF ,  ドーピング ,  空格子点 ,  密度汎関数理論 ,  電子構造

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： LIF ,  欠陥 ,  電子構造 ,  研究