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J-GLOBAL ID：202202235692176321   整理番号：22A0477930

白金-ケイ素ドープ黒鉛状窒化炭素:第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

Platinum-silicon doped graphitic carbon nitride: A first principle calculation

著者 (2件)： Gorai Deepak Kumar (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal, 721302, India) ,  Kundu Tarun Kumar (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal, 721302, India)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 627  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒鉛状窒化炭素(g-C_3N_4)単分子層における白金,シリコン,および白金-シリコン共ドーピングによる電子および光学特性の修飾を,密度汎関数理論(DFT)を通して調査した。Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)汎関数を用いた一般化勾配近似(GGA)を用いて,元のg-C_3N_4に対して1.2eVのバンドギャップ値を得た。ドーピングプロセスはバンドギャップ値の低下をもたらした。g-C_3N_4への白金-シリコン共ドーピングは,隣接ヘプタジン環を横切る電子-正孔対の再配置のために,2つの新しい経路,C-N-Pt-N-C,およびC-N-Si-N-Cを提供する。共ドーピング後,赤外領域の光学伝導率に約25%の増加(1eV)があった。共ドープしたg-C_3N_4も濃縮光吸収を示した。仕事関数は,元のg-C_3N_4の4.29eVからPt/Si共ドープg-C_3N_4の3.58eVまで減少することを見出した。したがって,白金-シリコン共ドーピングは,g-C_3N_4の光触媒性能を進めるための適切な手段として考慮されるべきである。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  光吸収 ,  *ケイ素 ,  *白金 ,  *グラファイト ,  単分子層 ,  汎関数 ,  *ドーピング ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 共ドーピング ,  *窒化炭素 ,  *第一原理計算 ,  一般化勾配近似 ,  再配列 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： グラファイト状窒化炭素 ,  DFT ,  白金 ,  シリコン ,  光学特性 ,  仕事関数

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 白金 ,  ケイ素 ,  ドープ ,  黒鉛 ,  窒化炭素 ,  第一原理計算