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J-GLOBAL ID：202202235869385690   整理番号：22A0956589

パターン認識精度に影響するフローティングゲートIGZOシナプストランジスタの電気的パラメータに関する深さ分析【JST・京大機械翻訳】

In-depth analysis on electrical parameters of floating gate IGZO synaptic transistor affecting pattern recognition accuracy

著者 (12件)： Kwon Ojun (Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Kwon Ojun (Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Oh Seyoung (Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Oh Seyoung (Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Park Heejeong (Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Park Heejeong (Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Jeong Soo-Hong (Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Jeong Soo-Hong (Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Park Woojin (Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Park Woojin (Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Cho Byungjin (Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea) ,  Cho Byungjin (Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, Chungdae-ro 1, Seowon-Gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 21  ページ： 215201 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シナプスデバイスの信頼できるコンダクタンス変調は,高性能神経形態学的システムを実行するとき重要である。ここでは,アルミニウムトラッピング層を有する浮遊ゲートインジウムガリウム亜鉛オキシド(IGZO)シナプスデバイスを提案し,その多様な電気的パラメータとパターン認識精度の間の相関を調べた。IGZOシナプストランジスタにおいて,興奮性シナプス後電流,対パルス促進,長期/短期記憶,長期増強/抑制などの基本的シナプス特性を実証した。コンダクタンス更新に及ぼすパルス電圧の大きさ,間隔,持続時間,および印加パルスのサイクル数に関連するパルス同調条件の影響を系統的に調査した。コンダクタンス更新とサイクルツーサイクル変動の非線形性は,人工神経ネットワークシミュレータを用いて批判的に考慮されるべきであり,改良国立標準技術(MNIST)手書き数字画像の高パターン認識精度を確実にする。MNIST手書きデータセットの最高認識率は,最も最適化されたパルス条件に対して94.06%であった。最後に,シナプスパラメータに関する系統的研究を,開発したシナプスデバイスを最適化するために行う必要がある。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  電圧 ,  *パターン認識 ,  技術 ,  酸化物 ,  *シナプス ,  同調 ,  非線形性 ,  パルス ,  継続時間 ,  深さ分析 ,  長期増強 ,  コンダクタンス ,  *フローティングゲート
準シソーラス用語： パルス電圧 ,  神経形態学 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  脳・神経系モデル  (EL02050C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 認識精度 ,  フローティングゲート ,  IGZO ,  シナプス ,  トランジスタ ,  パラメータ ,  深さ分析