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J-GLOBAL ID：202202235907354097   整理番号：22A0001146

光ルミネセンスによるWS_2単分子層から基板へのキャリア移動の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of carrier migration from WS₂ monolayer to substrate by photoluminescence

著者 (13件)： Peng Qing (School of Nano-Tech and Nano-Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, PR China) ,  Peng Qing (Vacuum Interconnected Nanotech Workstation, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, PR China) ,  Ge Xiaotian (Vacuum Interconnected Nanotech Workstation, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, PR China) ,  Wang Rongxin (School of Nano-Tech and Nano-Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, PR China) ,  Wang Rongxin (Vacuum Interconnected Nanotech Workstation, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, PR China) ,  Ding Ding (Vacuum Interconnected Nanotech Workstation, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, PR China) ,  Gong Zhongmiao (Vacuum Interconnected Nanotech Workstation, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, PR China) ,  Zheng Changcheng (Division of Natural and Applied Sciences, Duke Kunshan University, Kunshan, 215316, PR China) ,  Ning Jiqiang (School of Nano-Tech and Nano-Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, PR China) ,  Ning Jiqiang (Vacuum Interconnected Nanotech Workstation, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, PR China) ,  Zhang Ruiying (School of Nano-Tech and Nano-Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, PR China) ,  Zhang Ruiying (Advanced Materials Division, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, 215123, PR China) ,  Xu Shijie (Department of Optical Science and Engineering, Fudan University, Shanghai, 200438, PR China)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 241  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WS_2単分子層のような原子的に薄い二次元(2D)半導体におけるキャリアは,それらの周囲と相互作用しやすく,2D半導体の電気的および光学的特性の両方に著しい影響を与える可能性がある。本研究では,励起パワー密度に対する光ルミネセンス(PL)強度の異常な依存性を,SiO_2/Si基板上に機械的に剥離したWS_2単分子層で観察し,それは,ある出力密度での励起子とトリオン発光の突然の強度低下,続く非常に遅い強度増加として現れる。剥離し濡れたWS_2単分子層はPL強度の類似した異常な変化を示すが,強度低下を引き起こす異なる電力密度を示す。PL強度の突然の降下は,トラップされた空気または水と単分子層および基板との相互作用により,単分子層と基板との接触状態への修飾に起因し,従って,単分子層から基板への輸送速度を変化させる。定常状態でのキャリア再結合と輸送過程に繊細に処理するために速度方程式モデルを開発し,励起子,トリオンおよび自由電荷母集団の交差面輸送速度に対する変化依存性を実証し,励起出力密度に対する異常なPL強度依存性を一貫して説明した。PL性能におけるキャリア輸送の重要な役割を本研究で検証し,原子薄2D半導体におけるキャリア相互作用のさらなる理解を達成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  電荷 ,  発光 ,  半導体 ,  *光ルミネセンス ,  輸送現象 ,  励起 ,  励起子 ,  *単分子層 ,  二次元 ,  レート方程式 ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： 出力密度 ,  キャリア輸送 ,  トリオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： WS_2単分子層 ,  キャリア移動 ,  光ルミネセンス

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光ルミネセンス ,  単分子層 ,  キャリア移動 ,  研究