文献
J-GLOBAL ID:202202236087632179   整理番号:22A0497541

光起電力応用のための硫化ビスマスとアルミニウムドープ硫化ビスマス薄膜の堆積【JST・京大機械翻訳】

Deposition of bismuth sulfide and aluminum doped bismuth sulfide thin films for photovoltaic applications
著者 (15件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 42-53  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
二元硫化ビスマス(Bi_2S_3)および三元アルミニウムドープ硫化ビスマス(Al@Bi_2S_3)薄膜を,化学浴析出法により,光起電力応用用に調製した。室温で合成した新しく設計した材料を,いくつかのキャラクタリゼーション技術,すなわち,X線回折,走査電子顕微鏡,エネルギー分散X線分析,光吸収,厚さ測定,およびHall効果技術によって徹底的に分析した。構造的,形態的,光学的,電気的,および輸送特性の間の相関を評価した。親材料,すなわちBi_2S_3は斜方晶系相を有することが報告されているが,ドープした誘導体は非晶質相を明らかにした。1.6~1.3eVの範囲の光学バンドギャップと吸収係数を104~106cm-1の範囲で見出した。薄膜の厚さは溶液マトリックスの組成の変化と共に変化し,膜はよく付着し,コンパクトで亀裂の無い。Hall測定から,研究した全ての化合物における支配的なキャリアは電子であり,三元膜のキャリア密度は二成分Bi_2S_3よりもほぼ2桁大きいことが分かった。これらの新しく設計した材料の不規則性をUrbachエネルギーの変化の推定を通して追跡した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  半導体薄膜  ,  固体デバイス材料 

前のページに戻る