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J-GLOBAL ID:202202236133566402   整理番号:22A0637888

ホモエピタキシャルAlN薄膜の高熱伝導率と超高熱境界コンダクタンス【JST・京大機械翻訳】

High thermal conductivity and ultrahigh thermal boundary conductance of homoepitaxial AlN thin films
著者 (6件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 011115-011115-6  発行年: 2022年 
JST資料番号: U7122A  ISSN: 2166-532X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ウルツ鉱型窒化アルミニウム(AlN)は,その高い圧電性,超広帯域バンドギャップ,および大きな熱伝導率kのために,高出力および高温操作のためにますます注目を集めている。外来基板上のエピタキシャル成長AlNのkを調べた。しかし,ホモエピタキシャル成長AlNについて熱研究は行われなかった。本研究では,ホモエピタキシャルAlN薄膜の厚さ依存kおよび熱境界コンダクタンスGを,周波数領域熱反射の光学ポンププローブ法を用いて系統的に研究した。著者らの結果は,kが厚さと共に増加し,k値が200nm,500nm,および1μmの膜厚で報告された最高値であり,それぞれ71.95,152.04,および15.71W/(mK)の値であることを示した。第一原理計算は測定データと良好な一致を示した。注目すべきことに,エピ層と基板の間のGは,200nm,500nm,1μm,および3μmのサンプル厚さに対して,それぞれ328,477,1180,および2590MW/(m2K)の高い値を報告した。ホモエピタキシャルに成長したAlNの高いkと超高Gは,効率的な熱放散のために非常に有望であり,デバイス設計に役立ち,マイクロ電気機械システム,紫外フォトニクス,および高出力エレクトロニクスにおける高度な応用を有する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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比熱・熱伝導一般 

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