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J-GLOBAL ID:202202236147424020   整理番号:22A0976365

高い力率と超低熱伝導率を有する高温熱電単層Bi_2TeSe_2【JST・京大機械翻訳】

High-Temperature Thermoelectric Monolayer Bi2TeSe2 with High Power Factor and Ultralow Thermal Conductivity
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 2564-2572  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5032A  ISSN: 2574-0962  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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量子閉じ込め効果と界面/表面効果のため,二次元(2D)ビスマス系材料に対する0.8~1.5eVのバンドギャップは,バルク相材料(~0.2eV)に比べて著しく拡大し,それは,高温におけるバルク相ビスマス系材料のSeebeck係数に対するバイポーラ輸送に起因する抑制効果を除去する。したがって,2Dビスマス系材料は,高温熱電(TE)デバイスにおいて大きな応用展望を示すが,それらの性能指数(ZT)はさらに改善する必要がある。本研究は,第一原理計算から新しいJanusBi_2Te_3系材料,2D Bi_2TeSe_2の熱および電気輸送特性を報告する。Bi_2Se_3/Bi_2Te_3単層および対応するJanus材料と比較して,Bi_2TeSe_2単分子層は,より強いフォノン非調和性とより高い周波数フォノン散乱のため,900Kで0.27W/mKの非常に低い格子熱伝導率(κ)を示した。さらに,価電子帯最大値の周りのエネルギーポケットが収束特性を示すので,p型システムのSeebeck係数(SC)を効果的に強化した。p型Bi_2TeSe_2単層では,その固有の高い電子輸送特性と結合して,900Kで3.48mW/mK2の高い力率が得られた。Bi_2TeSe_2単分子層の超低κと増強SCは,最終的に900Kで3.45の著しい最適ZT値をもたらした。したがって,本研究はBi_2TeSe_2単層の熱電特性への洞察を提供し,高温TE場にビスマス系材料を適用するための有効な道を開いた。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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熱電デバイス 
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