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J-GLOBAL ID：202202236312164597   整理番号：22A0974055

グラフェン/α-RuCl_3ヘテロ構造におけるナノメータスケールの横方向p-n接合【JST・京大機械翻訳】

Nanometer-Scale Lateral p-n Junctions in Graphene/α-RuCl₃ Heterostructures

著者 (23件)： Rizzo Daniel J. (Department of Physics, Columbia University, New York, United States) ,  Shabani Sara (Department of Physics, Columbia University, New York, United States) ,  Jessen Bjarke S. (Department of Physics, Columbia University, New York, United States) ,  Jessen Bjarke S. (Department of Mechanical Engineering, Columbia University, New York, United States) ,  Zhang Jin (Theory Department, Max Planck Institute for Structure and Dynamics of Matter and Center for Free-Electron Laser Science, Germany) ,  McLeod Alexander S. (Department of Physics, Columbia University, New York, United States) ,  Rubio-Verdu Carmen (Department of Physics, Columbia University, New York, United States) ,  Ruta Francesco L. (Department of Physics, Columbia University, New York, United States) ,  Ruta Francesco L. (Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University, New York, United States) ,  Cothrine Matthew (Department of Materials Science and Engineering, University of Tennessee, Tennessee, United States) ,  Yan Jiaqiang (Department of Materials Science and Engineering, University of Tennessee, Tennessee, United States) ,  Yan Jiaqiang (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Mandrus David G. (Department of Materials Science and Engineering, University of Tennessee, Tennessee, United States) ,  Mandrus David G. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Nagler Stephen E. (Neutron Scattering Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Rubio Angel (Theory Department, Max Planck Institute for Structure and Dynamics of Matter and Center for Free-Electron Laser Science, Germany) ,  Rubio Angel (Center for Computational Quantum Physics, Flatiron Institute, New York, United States) ,  Rubio Angel (Nano-Bio Spectroscopy Group, Universidad del Pais Vasco UPV/EHU, Spain) ,  Hone James C. (Department of Mechanical Engineering, Columbia University, New York, United States) ,  Dean Cory R. (Department of Physics, Columbia University, New York, United States) ,  Pasupathy Abhay N. (Department of Physics, Columbia University, New York, United States) ,  Pasupathy Abhay N. (Condensed Matter Physics and Materials Science Department, Brookhaven National Laboratory, New York, United States) ,  Basov D. N. (Department of Physics, Columbia University, New York, United States)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 22  号： 5  ページ： 1946-1953  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメータスケールの横方向p-n接合を生成する能力は二次元(2D)デバイスの次世代に不可欠である。電荷移動ヘテロ構造グラフェン/α-RuCl_3を用いて,グラフェンナノバブル近傍のナノスケールの横方向p-n接合を実現した。ナノバブルp-n接合の電子および光学応答を同時に調べるために,著者らのマルチプロービング実験アプローチは,走査トンネル顕微鏡(STM)および分光法(STS)および散乱型走査近接場光学顕微鏡(s-SNOM)を組み込んだ。STM/STSの結果は,約0.6eVのバンドオフセットを有するp-n接合が~3nmの幅で達成され,秩序108V/mの電場を生じさせることを明らかにした。同時s-SNOM測定は,ナノバブルと表面プラズモンポラリトン(SPP)の相互作用をモデル化するための点散乱体形式を検証した。ab initio密度汎関数理論(DFT)計算は著者らの実験データを確認し,層分離への電荷移動の依存性を明らかにした。本研究は,2D材料におけるp-nナノ接合を生成するための実験的および概念的基礎を提供した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *PN接合 ,  散乱 ,  相互作用 ,  電場 ,  電荷移動 ,  プラズモン ,  *素子構造 ,  二次元 ,  密度汎関数法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 光応答 ,  *ヘテロ構造 ,  ナノバブル ,  ナノスケール ,  ナノ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 走査トンネル顕微鏡法 ,  走査型トンネル分光法 ,  走査型近接場光学顕微鏡 ,  プラズモン ,  二次元材料 ,  電荷移動

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  横方向 ,  p-n接合