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J-GLOBAL ID:202202236490180573   整理番号:22A1161676

水分解からの光触媒水素発生に及ぼすNi_2P被覆窒化ホウ素中の過剰Bの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Excess B in Ni2P-Coated Boron Nitride on the Photocatalytic Hydrogen Evolution from Water Splitting
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 3578-3586  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5032A  ISSN: 2574-0962  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体光触媒を修飾するための六方晶窒化ホウ素(hBN)の使用は,水分解から水素を生産するための有望な方法の1つである。これは光生成電荷担体のhBN抑制再結合のユニークな特性,従ってレドックス反応の増加による。本研究では,hBN改質Ni_2P含有過剰ホウ素複合材料(B-hBN-Ni_2P)を無電解めっき法により調製した。固体構造,元素組成,およびモルフォロジーを,X線回折,エネルギー分散X線分光法,走査電子顕微鏡,UV-可視分光法,および光ルミネセンス分光法によって研究した。複合コーティングを,太陽水分解のために試験し,そして,883μmol/hの水素発生速度を達成した。過剰なBの役割を電気化学的酸性浸出により明らかにした。構造からホウ素を徐々に除去することにより,水分解活性における単調な低下が観察された。本研究は犠牲剤/水素生産ブースターとしてBを同定した。それは,複合コーティングからの余剰量の酸化による追加の水素発生によるより高い触媒活性に寄与する。本研究における複合被覆の水素発生活性は,他の最新の光触媒と非常に競合する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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ガス化学工業  ,  光化学一般  ,  光化学反応  ,  その他の触媒 
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