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J-GLOBAL ID：202202236628332227   整理番号：22A0082143

単層C_3Nの驚くべき良い熱電性能【JST・京大機械翻訳】

Surprisingly good thermoelectric performance of monolayer C₃N

著者 (7件)： Jiao W Y (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Hu R (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Han S H (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Luo Y F (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Yuan H M (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Li M K (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Liu H J (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 4  ページ： 045401 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの急速な出現は,他の二次元材料を探索するための多くの努力を引きつけた。ここでは,グラフェンと非常に類似したハニカム構造を示す単層C_3Nの構造,電子および熱電輸送特性を調べるために,第一原理計算とBoltzmann理論を組み合わせた。システムは高温でも動的かつ熱的に安定であることが分かった。グラフェンと異なり,単分子層は0.38eVの間接バンドギャップと非常に低い格子熱伝導率を有した。さらに,このシステムは正孔キャリアに対して明らかに大きな電気伝導率とSeebeck係数を示した。その結果,p型C_3NのZT値は,一定の緩和時間が単純な変形ポテンシャル理論によって予測されるとき,1200Kで1.4に達することができる。しかし,電子-フォノン結合を完全に考慮すれば,このような大きなZTは0.6に減少する。また,単層C_3Nの熱電性能は,グラフェンと比較して,まだ著しく強化され,非常に軽い元素から成る低次元熱電材料に対して驚くほど良い。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 緩和時間 ,  高温 ,  正孔 ,  電子-フォノン相互作用 ,  電気伝導率 ,  ハニカム構造 ,  単分子層 ,  変形ポテンシャル ,  熱電材料 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  輸送特性 ,  第一原理計算 ,  格子熱伝導率 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (1件)： 単層