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J-GLOBAL ID：202202236670897011   整理番号：22A0680482

Ga(N,As)/Ga(As,Sb)/Ga(N,As)タイプII-”W”量子井戸ヘテロ構造に及ぼす成長中断の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of growth interruption on Ga(N, As)/Ga(As, Sb)/Ga(N, As) type-II-“W” quantum well heterostructures

著者 (8件)： Lehr Jannik (Materials Science Center and Department of Physics, Philipps Universitaet Marburg, Hans-Meerwein-Strasse 6, 35032 Marburg, Germany) ,  Hellweg Lukas (Materials Science Center and Department of Physics, Philipps Universitaet Marburg, Hans-Meerwein-Strasse 6, 35032 Marburg, Germany) ,  Fuchs Christian (Materials Science Center and Department of Physics, Philipps Universitaet Marburg, Hans-Meerwein-Strasse 6, 35032 Marburg, Germany) ,  Firoozabadi Saleh (Materials Science Center and Department of Physics, Philipps Universitaet Marburg, Hans-Meerwein-Strasse 6, 35032 Marburg, Germany) ,  Kuekelhan Pirmin (Materials Science Center and Department of Physics, Philipps Universitaet Marburg, Hans-Meerwein-Strasse 6, 35032 Marburg, Germany) ,  Beyer Andreas (Materials Science Center and Department of Physics, Philipps Universitaet Marburg, Hans-Meerwein-Strasse 6, 35032 Marburg, Germany) ,  Volz Kerstin (Materials Science Center and Department of Physics, Philipps Universitaet Marburg, Hans-Meerwein-Strasse 6, 35032 Marburg, Germany) ,  Stolz Wolfgang (Materials Science Center and Department of Physics, Philipps Universitaet Marburg, Hans-Meerwein-Strasse 6, 35032 Marburg, Germany)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 582  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga(N,As)/Ga(As,Sb)/Ga(N,As)タイプII-”W”量子井戸ヘテロ構造とGa(As,Sb)/Ga(N,As)タイプII二重量子井戸ヘテロ構造を,GaAs基板上に有機金属気相エピタキシー(MOVPE)によって成長させた。特に,界面形態と窒素取り込み効率に及ぼす成長中断の影響を研究した。Ga(N,As)/Ga(As,Sb)/Ga(N,As)二重量子井戸構造を,高分解能X線回折,走査型透過電子顕微鏡,および光ルミネセンス分光法によって特性評価した。内部界面を,全ての層の選択的エッチングを可能にする湿式化学エッチング法の適用後に原子間力顕微鏡で調べた。Ga(N,As)への窒素取り込みに及ぼす成長中断期間の著しい効果を観察した:成長中断なしで,Ga(As,Sb)QWs上で成長したとき,窒素含有量は強く低下した。成長中断の増加と共に,窒素量の増加が目に見える。埋込みGa(As,Sb)界面は,最初に平滑化を示し,その後,より長い成長中断期間を有するGa(As,Sb)層の穴の形成により,その後の粗化を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  エッチング ,  発光ダイオード ,  界面 ,  光ルミネセンス ,  窒素 ,  *素子構造 ,  平滑化 ,  取込 ,  MOCVD ,  *量子井戸 ,  原子間力顕微鏡 ,  多重量子井戸 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  二重量子井戸 ,  粗化 ,  高分解能X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1特性化 ,  A_3有機金属気相エピタクシー ,  A_3量子井戸 ,  B_2半導体ひ化ガリウム ,  B_2半導体III-V材料 ,  B3発光ダイオード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  Sb ,  タイプ ,  量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  成長 ,  中断