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J-GLOBAL ID：202202236696292965   整理番号：22A1163278

超低半波電圧の広帯域蛇行薄膜ニオブ酸リチウム変調器【JST・京大機械翻訳】

Broadband Meandered Thin-Film Lithium Niobate Modulator With Ultra-Low Half-Wave Voltage

著者 (10件)： Liu Xuecheng (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Liu Hao (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Xiong Bing (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Sun Changzheng (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Hao Zhibiao (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang Lai (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang Jian (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Han Yanjun (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Hongtao (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Luo Yi (Department of Electronic Engineering, Beijing National Research Centre for Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 34  号： 8  ページ： 424-427  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低半波電圧V_πを有するコンパクトな薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)変調器は多くの応用に対して非常に望ましい。特に,V_π 1Vの変調器はCMOS回路による直接駆動を可能にするが,それらは通常,数センチメートルの長い変調長を必要とする。折畳みTFLN変調器は小さなデバイスフットプリントと共にV_πの減少を示す。しかし,以前に報告されたスキームは,電極折りたたみ後のTFLN結晶分極に関して電場の相対的方向を維持するための複雑なデバイス製作手順に悩まされている。本研究では,特別に設計した容量負荷進行波電極(CL-TWEs)を有する蛇行XカットTFLN Mach Zehnder(MZ)変調器を実証した。光位相シフトの連続蓄積のために,折りたたみ領域の電場を反転させるために,インターデジタル化T-レールを採用した。1.08Vの超低V_πを,7mm長変調セクションの3セグメントを含む8mm長変調器で,43GHz付近の3dB電気光学帯域幅と共に達成した。コンパクトなフットプリントと同様に超低半波電圧を有する広帯域蛇行変調器はCMOSエレクトロニクスによって直接駆動される可能性がある。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相シフト ,  *電圧 ,  電場 ,  *薄膜 ,  分極 ,  電極 ,  *変調器 ,  *蛇行 ,  進行波 ,  折畳み ,  帯域幅 ,  *ニオブ酸リチウム ,  *広帯域
準シソーラス用語： CMOS集積回路 ,  CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 広帯域 ,  蛇行 ,  薄膜 ,  ニオブ酸リチウム ,  変調器