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J-GLOBAL ID:202202236721213723   整理番号:22A0974775

ホウ酸ナトリウム水溶液による室温ポストアニーリング還元と完全溶液処理インジウムすず酸化物膜の組成最適化【JST・京大機械翻訳】

Room-Temperature Postannealing Reduction via Aqueous Sodium Borohydride and Composition Optimization of Fully Solution-Processed Indium Tin Oxide Films
著者 (9件):
資料名:
巻: 14  号: 11  ページ: 13516-13527  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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溶液処理透明導電性酸化物は,真空蒸着技術の特定の要求と比較して,電子デバイスの低コスト,高スループット製造の利点を提供する。しかし,インキ堆積への最新技術の適応は,前駆体インク組成と堆積後プロセスの最適化を要求する。インジウムスズ酸化物膜の溶体化処理は,燃料/酸化剤と共に可溶性前駆体金属塩をアニーリングすることにより,還元温度(250-400°C)で達成でき,局所温度上昇を伴う発熱反応を引き起こす。堆積とアニーリングの層ごとのサイクルの後,5%H_2還元雰囲気下での加熱(300°C)により後処理段階が必要である。インキ堆積の汎用性と制御された雰囲気後処理の限界との不一致に取り組むために,ここでは,室温でインキから膜への完全溶液ベースプロセスを可能にする代替として,室温での水素化ホウ素ナトリウムへのポストプロセス浸漬の影響を調べた。後処理に加えて,溶液組成を燃料添加物を除去し,In/Sn含有量を調整することによって最適化した。インジウムスズ酸化物(ITO)膜をスピンコートし,250,300および400°Cで空気中でアニールし,UV/vis分光法で特性解析し,光学的透過率,膜厚および表面形態を得るための原子間力顕微鏡,および電気的パラメータに対するHall効果システムを得た。X線光電子分光法(XPS)とX線回折(XRD)からの付加的データは,結晶度が還元環境によって影響されることを示した。結果は,燃料添加物を有する従来の9:1In/Sn前駆体インキについて,燃料無添加で,従来の9:1In/Sn前駆体インキに対して,燃料無添加で,そして,ガラス基板を含む,3.0×10-3Ω-1FOM,84.5Ω/□R_s,および87%Tに,次に,燃料無添加の25°C浸漬で,そして,次に,5%H_2炉後処理の300°Cで,従来の9:1In/Sn前駆体インキに対して,Haacke性能指数(FOM)が,それぞれ,300°C,5%H_2炉後処理で,300°Cで,その後,300°CのH_2-炉後処理で,次に,300°C5%のH_2-炉後処理で,次に,ガラス基板を含む,3.0×10-3Ω-1のFOM,84.5Ω/□のR_s,および87%Tの浸漬後に,それぞれ,300°CのH_2-炉後処理で,約300°CのH_2炉の後処理で,次に300°CのH_2-炉後処理で,次に,約300°CのH_2-炉の後処理で,次に,25°のH_2-炉の後処理で,それぞれ,300°Cで5%のH_2-炉の後処理で,約3分の1のH_2-炉の処理を行うと,1桁のHaacke性能指数(FOM)の改善を明らかにした。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属薄膜  ,  炭素とその化合物 

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