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J-GLOBAL ID：202202236840266362   整理番号：22A0322818

パルスレーザ放射により誘起されたナノ構造薄いSiO_x層における非晶質-結晶相転移【JST・京大機械翻訳】

Amorphous - Crystalline phase transition in nanostructural thin SiO_x layers induced by pulsed laser radiation

著者 (8件)： Fedorenko L. (V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Prospect Nauky, Kyiv, Ukraine) ,  Medvids A. (Riga Technical University, Institute of Technical Physics 3/7, Paula Valdena Str., LV-1048 4, Latvia) ,  Yukhymchuk V. (V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Prospect Nauky, Kyiv, Ukraine) ,  Evtukh A. (V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Prospect Nauky, Kyiv, Ukraine) ,  Mimura H. (Research Institute of Electronics Shizuoka University, 836 Oya, Suruga Ward, Shizuoka 422-8017, Japan) ,  Hreshchuk O. (V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Prospect Nauky, Kyiv, Ukraine) ,  Grase L. (Latvia Riga Technical University, Institute of Silicate Materials 3/7, Paula Valdena Str., LV-1048 Riga, Latvia) ,  Soroka S. (I. Sikorsky National Technical University of Ukraine “KPI”, Department of Device Manufacturing, Peremohy Ave 37, Kyiv - 03056, Solomiansky District, Kyiv, Ukraine)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 148  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質SiO_x薄層のSiナノ粒子(NP)増加によるSiO_x系ナノ複合材料層へのレーザ誘起構造変換の可能性を研究した。シリコンNPの平均サイズはレーザ強度(I_L)と波長(λ)に依存することを見出した。パルス持続時間τ=10nsのNd+3:YAGレーザ(λ=532nm)のパルスによる加工後,修飾SiO_x中の単結晶Si NPの支配的で,サイズdのNP範囲は初期膜で1nm≦d≦10nmから1nm≦d≦35nmに増加した。SiO_x膜の構造およびトポグラフィー変化を電界放射走査型電子顕微鏡(FESEM),エネルギー分散X線分光(EDXS)およびRaman分光法を用いて調べた。量子閉じ込め効果に起因するシリコンNPの結晶相の原因となるRamanバンドの高周波シフトは,レーザ強度(I_L)と共にNPサイズの平均の増加を示した。これは,475cm-1の振動周波数で最大値をもつ強度Ramanバンドの減少と相関し,それはI_L増加によるSiO_x膜における非晶質相の減少を正当化する。シリコンNPの平均サイズの増加,SiO_x膜中の化学量論指数xの成長,および非晶質シリコンの割合の減少の間の相関を確立した。Si NPの成長過程を説明する物理的機構は,Si原子のNPへのその後の合体を伴うレーザ熱衝撃効果に基づいており,変化したサイズを有するNPへのSiO_x膜の融解部分の再結晶が提案された。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結晶 ,  走査電子顕微鏡 ,  *相転移 ,  電場 ,  薄膜 ,  *ケイ素 ,  *非晶質 ,  *パルスレーザ ,  *パルス ,  パルス幅 ,  周波数シフト ,  Raman分光法 ,  *ナノ構造 ,  アモルファスシリコン ,  ナノ粒子

著者キーワード (5件)： 非化学量論的酸化ケイ素 ,  ナノ粒子 ,  ナノ複合材料膜 ,  非晶質-結晶相転移 ,  レーザ-熱衝撃効果

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  レーザ放射 ,  誘起 ,  ナノ構造 ,  非晶質 ,  結晶相