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J-GLOBAL ID：202202236907200886   整理番号：22A0741195

単一分子トランジスタの最近の進歩:設計,機構および応用【JST・京大機械翻訳】

Recent progress in single-molecule transistors: their designs, mechanisms and applications

著者 (7件)： Fu Huanyan (Center of Single-Molecule Sciences, Institute of Modern Optics, Tianjin Key Laboratory of Micro-scale Optical Information Science and Technology, Frontiers Science Center for New Organic Matter, College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, 38 Tongyan Road,...) ,  Zhu Xin ,  Li Peihui ,  Li Mengmeng ,  Yang Lan ,  Jia Chuancheng ,  Guo Xuefeng
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 7  ページ： 2375-2389  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一分子電界効果トランジスタ(FET)は将来の電子回路の重要なビルディングブロックである。同時に,それらは単一分子レベルでの物理的機構を研究するためのユニークなプラットフォームでもある。単一分子FETを構築する方法およびデバイスの電荷移動特性を効率的に制御する方法は,単一分子FETの開発における2つのコア問題である。本レビューでは,固体または液体ゲートを有する単一分子FETにおける研究進展を提示した。機能性分子の設計,ゲート電極の構築および分子-電極界面結合の制御を含む,単一分子FETを設計するための戦略を強調した。これらの単一分子FETは,実際の応用と物理的法則の探索のための基礎を提供する。特に,単一分子FETの物理的機構,特に界面結合に関連したもの,をエネルギーレベルシフト,Coulomb遮断効果,Kondo効果および電子-フォノン結合のような,説明した。量子干渉,スピン,熱電効果および超伝導の制御を含む単一分子FETの応用を要約した。最後に,単一分子エレクトロニクスの将来の開発を促進するために,単一分子FETの分野における現在の機会と課題を提案した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Kondo効果 ,  *界面 ,  超伝導 ,  電荷移動 ,  電子-フォノン相互作用 ,  FET【トランジスタ】 ,  電子回路 ,  熱電効果 ,  電子技術
準シソーラス用語： *単一分子 ,  ビルディングブロック ,  ゲート電極 ,  量子干渉 ,  電極界面 ,  *単一分子トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単一分子トランジスタ ,  設計 ,  応用