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J-GLOBAL ID:202202237006487442   整理番号:22A0435039

電離層プラズマにおけるLangmuirプローブ背後の後流形成【JST・京大機械翻訳】

Wake formation behind Langmuir probes in ionospheric plasmas
著者 (7件):
資料名:
巻: 69  号:ページ: 856-868  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0831A  ISSN: 0273-1177  CODEN: ASRSDW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,電離層のF領域のような宇宙環境におけるDebye長より薄いLangmuirプローブの背後の後流形成のシミュレーション研究を報告した。正バイアスプローブの背後のプラズマ密度と電位で形成された後流は亜音速プラズマ流中で15Debye長まで拡張できることを見出した。より高い電気バイアスと流速は,さらにプラズマ後流摂動を強化することができる。対象の軸に平行な外部磁場により,プラズマ後流は非対称になり,非磁化の場合よりも広くなった。電子とイオン密度の翼構造は亜音速プラズマ流の場合のバックグラウンド磁場に沿って観測された。本論文における定量的結果は,データ処理のための実際的参照と,音ロケットや低地球軌道(LEO)衛星ミッションのようなF領域で飛行するLangmuirプローブ機器の将来設計を提供するかもしれない。特に,Langmuirプローブ装置が2つ以上のバイアスDebyeスケールLangmuirプローブから成るので,単一プローブの背後に形成されたプラズマ後流は,他の機器搭載の測定値に影響を及ぼす可能性がある。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
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プラズマ診断 
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