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J-GLOBAL ID：202202237277407454   整理番号：22A1161746

半導体単層カーボンナノチューブ薄膜における光劣化の停止【JST・京大機械翻訳】

Arresting Photodegradation in Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotube Thin Films

著者 (6件)： Larson Bryon W. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Thurman Kira A. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Kang Hyun Suk (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Ferguson Andrew J. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Blackburn Jeffrey L. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Steger Mark (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 5  号： 3  ページ： 3502-3511  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリマーマトリックスにおける孤立単層カーボンナノチューブ(SWCNT)の固体分散または電子結合SWCNTのネットワークは,幅広いオプトエレクトロニクス応用に対して興味を集めている。しかし,これらの系の安定性または分解機構についてはほとんど知られていない。S_11またはS_22励起子遷移が周囲条件で光学的に励起されたとき,SWCNT側壁の劇的なsp2からsp3欠陥変換を示し,太陽照射への曝露と類似の条件に対して24時間以内の吸収と発光特性の急速な減衰を導いた。重要なことは,(i)SWCNT励起状態から反応性O_2を遮断するか,または(ii)ドナーからアクセプタへの電子移動による励起子消光が,光分解に対する「動力学的安定化」のための効果的な経路であり,1200時間の照射後の吸光度の<8%損失を有することを実証した。SWCNT:高分子負荷は分解に影響しないことを見出した。本研究は,sp3欠陥がSWCNT側壁上の酸素基の生成と関連することを示唆する。このような欠陥集団は,SWCNTが光の存在下で環境的に曝露される膜において,時間と共に有害な進化が可能であるが,この劣化を停止する多重経路を提供し,光学および電子デバイスにおける先進光学材料としてのそれらの堅牢な応用を可能にする。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  消光 ,  ドナー ,  *薄膜 ,  *半導体 ,  励起子 ,  励起状態 ,  ネットワーク ,  酸素 ,  オプトエレクトロニクス ,  電子移動 ,  ロバスト性 ,  *カーボンナノチューブ ,  *単層カーボンナノチューブ ,  吸光度

著者キーワード (5件)： カーボンナノチューブ ,  光分解 ,  カプセル化 ,  速度論的安定化 ,  光化学

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層カーボンナノチューブ ,  薄膜 ,  光劣化