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J-GLOBAL ID：202202237320186860   整理番号：22A0891800

(In+Ta)共ドープTiO_2巨大誘電体セラミックの微細構造と電気的性質に及ぼす電場の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of electric field on the microstructure and electrical properties of (In + Ta) co-doped TiO₂ colossal dielectric ceramics

著者 (10件)： Wang Zhentao (Key Laboratory of Metallurgical Emission Reduction & Resources Recycling (Anhui University of Technology), Ministry of Education, Ma’anshan, People’s Republic of China) ,  Wang Zhentao (School of Materials Science and Engineering, Anhui Polytechnic University, Wuhu, People’s Republic of China) ,  Peng Pai (Key Laboratory of Metallurgical Emission Reduction & Resources Recycling (Anhui University of Technology), Ministry of Education, Ma’anshan, People’s Republic of China) ,  Zhang Liang (Key Laboratory of Metallurgical Emission Reduction & Resources Recycling (Anhui University of Technology), Ministry of Education, Ma’anshan, People’s Republic of China) ,  Wang Nan (Key Laboratory of Metallurgical Emission Reduction & Resources Recycling (Anhui University of Technology), Ministry of Education, Ma’anshan, People’s Republic of China) ,  Tang Bin (State Key Laboratory of Advanced Materials and Electronic Components, Zhaoqing, People’s Republic of China) ,  Cui Bing (Key Laboratory of Metallurgical Emission Reduction & Resources Recycling (Anhui University of Technology), Ministry of Education, Ma’anshan, People’s Republic of China) ,  Liu Juan (Key Laboratory of Metallurgical Emission Reduction & Resources Recycling (Anhui University of Technology), Ministry of Education, Ma’anshan, People’s Republic of China) ,  Xu Dong (Key Laboratory of Metallurgical Emission Reduction & Resources Recycling (Anhui University of Technology), Ministry of Education, Ma’anshan, People’s Republic of China) ,  Xu Dong (School of Materials Science and Engineering, Anhui Polytechnic University, Wuhu, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 9  ページ： 6283-6293  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュ焼結は処理時間を短縮し,焼結温度を低下させ,結晶粒を微細化する有望な方法である。ここでは,450から600V/cmの電場下の通常の焼結とフラッシュ焼結により,(In+Ta)共ドープTiO_2巨大誘電体セラミックの作製に成功した。すべての試料のフラッシュ焼結挙動,微細構造,および電気的性質を系統的に調査した。その結果,従来の焼結と比較して,フラッシュ焼結は,処理時間を15倍短縮し,焼結温度200°Cを低下し,そして,明らかにより小さな粒径およびより均一な微細構造を持った。フラッシュ焼結は,従来の焼結と同様の電気的性質を有した。電場が550V/cmの時,フラッシュ焼結試料は最良の誘電特性を持ち,その中でε_r>104およびtan|>0.36が103Hzであった。一方,2つの誘電異常が観察され,室温近くの誘電異常は,Ti3+とTi4+の間の電荷移動に起因し,これはその巨大誘電的性質に寄与した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼結 ,  *電場 ,  電荷移動 ,  微細構造 ,  加工時間 ,  電気的性質 ,  粒径 ,  誘電性 ,  *ドーピング ,  結晶粒 ,  精密化 ,  加熱温度
準シソーラス用語： 焼結温度 ,  フラッシュ焼結 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  誘電体セラミック ,  微細構造 ,  電気的性質 ,  電場