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J-GLOBAL ID:202202237424318637   整理番号:22A1152623

単結晶Cu_2ZnSnSe_4太陽電池におけるV_OC制限欠陥に及ぼす組成と熱処理の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of composition and thermal treatment on VOC-limiting defects in single-crystalline Cu2ZnSnSe4 solar cells
著者 (9件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 503-517  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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500mVに達する開回路電圧を有する単結晶Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)太陽電池を,組成制御と低温熱秩序化処理の組合せを通して達成した。Cu/Zn+Sn比が0.77と0.86のCuの少ないCZTSeのデバイス結果の比較を,130°Cの吸収体アニーリング処理の実施の有無で提示した。Cu含有量の減少および秩序アニールの実装の両方による外部量子効率測定によりバンドギャップエネルギーの増加が観察され,後者はUrbachエネルギーの減少をもたらした。デバイスのアドミタンス分光法で行った欠陥キャラクタリゼーションは,低温電流障壁のために不十分であることを示した。しかし,結晶表面上の光ルミネセンス(PL)は,結晶組成とアニーリング処理の間の欠陥景観の定性的比較を可能にする。高度に補償された光ドープ欠陥モデルの両方を用いて,各観測された再結合チャネルに寄与する欠陥を同定するために,レーザフルエンスの関数としてPLを当てはめた。Zn_Sn欠陥に起因するPLシグネチャは,Cu/Zn+Sn比の0.86から0.77への減少で非可解になる。さらに,Cu-Zn無秩序の減少を,電位変動深さと両PLモデルの比較の両方を通してアニーリング処理の実施時に観察した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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