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J-GLOBAL ID：202202237495129879   整理番号：22A0107589

β-In_2Se_3/Siヘテロ接合に基づく高速広帯域スペクトル光検出器【JST・京大機械翻訳】

High-speed and broadband spectral photodetectors based on β-In₂Se₃/Si heterojunction

著者 (9件)： Guo Huier (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Guo Huier (School of Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Xia Yu (School of Microelectronics, Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Yu Yongqiang (School of Microelectronics, Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Zhou Ru (School of Electrical Engineering and Automation, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Niu Haihong (School of Electrical Engineering and Automation, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Mao Xiaoli (School of Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Wan Lei (School of Electrical Engineering and Automation, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Xu Jinzhang (School of Electrical Engineering and Automation, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 138  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グループIII-VIにおける直接バンドギャップ半導体である二次元セレン化インジウム(2D In_2Se_3)は,広帯域スペクトル応答を有する新規光検出器の構築に有望な応用を示す。これらのIn_2Se_3系光検出器のデバイス性能は,高い結晶品質とデバイス構造と構築プロセスの最適化を有する大規模In_2Se_3の合成によって制限される。ここでは,垂直β-In_2Se_3/Si p-nヘテロ接合を,パルスレーザ蒸着法によりSi基板上に高品質でβ-In_2Se_3膜をその場堆積することにより報告した。得られたβ-In_2Se_3/Si p-nヘテロ接合は265nmから1300nmまでの広帯域スペクトル応答範囲を示し,-2Vのバイアスで6.4AW-1までの高い応答性を示した。より重要なことに,ゼロバイアスで2.2μsに近づく高い応答速度が達成され,これは以前のIII-VI/Siベース光検出器および2D層状遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)/Siヘテロ接合のほとんどより非常に良い。さらに,1300nmのNIR光に対する応答性は0.12AW-1と大きく,これは以前のSi互換2D-3Dヘテロ接合よりも優れる。結果は,著者らの研究が,高性能で広帯域光検出器用の新しいIII-VI/Si 2D-3Dヘテロ接合の構築に向けた道を開くことを示唆する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  最適化 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  *スペクトル ,  素子構造 ,  二次元 ,  三次元 ,  *広帯域 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： スペクトル応答 ,  結晶品質 ,  セレン化インジウム ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： In_2Se_3 ,  広帯域スペクトル ,  Si互換2D-3Dヘテロ接合 ,  パルスレーザ蒸着 ,  近赤外検出

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ヘテロ接合 ,  広帯域 ,  スペクトル ,  光検出器