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J-GLOBAL ID:202202237626729249   整理番号:22A0565322

赤外光検出器のためのInAsサブ単分子層量子ドット形成に及ぼすAsフラックスの効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors
著者 (9件):
資料名:
巻: 334  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0345C  ISSN: 0924-4247  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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サブ単分子層量子ドットに基づく赤外光検出器の性能をヒ素フラックスの関数として調べた。すべてのデバイスは,断面走査トンネル顕微鏡画像が,ヒ素フラックスの減少に伴うこのようなナノ構造の密度の強い減少を指摘するにもかかわらず,12Kで1×1011cmHz1/2/W以上で,類似の性能指数と非常に高い比検出性を示した。このコントラストは,電子波動関数の強い非局在化をもたらすサブ単分子層量子ドットの小さいサイズと低いIn含有量の結果であり,従って,非常に高密度の量子ドットを持つ試料の利点を減少させる。簡単な歪モデルは,これらのナノ構造の特性が,In原子の強い偏析から生じる小さな二次元InAs島の垂直整列の欠如によって制限されることを示した。サブ単層量子ドットの成長を改善するいくつかの方法を提案し,さらなる最適化の後,このようなナノ構造が優れた性能を有するデバイスを提供するかもしれないと信じている。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
測光と光検出器一般  ,  炭素とその化合物  ,  計測機器一般  ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 

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