文献

J-GLOBAL ID：202202237695570905   整理番号：22A0003163

電子輸送層のない分子強誘電性ヘキサン-1,6-ジアンモニウムペンタヨードビスマスに基づく反転太陽電池の性能に及ぼす分極の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of polarization on performance of inverted solar cells based on molecular ferroelectric Hexane-1,6-diammonium pentaiodobismuth without electron transport layer

著者 (11件)： Wang Xiaolan (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Zou Xiaoping (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Zhu Jialin (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Zhang Chunqian (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Cheng Jin (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Zhou Zixiao (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Wang Yifei (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Li Xiaotong (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Ren Baokai (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Song Keke (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...) ,  Li JunMing (Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, Research Center for Sensor Technology, Beijing Key Laboratory for Sensor, MOE Key Laboratory for Modern Measurement and Control Technology, School of Automation, Beijing Information Science and Technology University, Jia...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 307  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体材料はペロブスカイト材料と比較してより安定であり,太陽電池の作製のための光吸収層としてますます有望である。本論文では,狭いバンドギャップ分子強誘電体ヘキサン-1,6-ジアンモニウムペンタヨードビスマス(HDA-BiI_5)を用いて太陽電池を作製し,その伝導バンド底部と価電子帯トップを計算した後,反転電子輸送フリー層の構造を決定した。その結果,デバイスの短絡電流密度(J_sc)は3番目のバイアス走査で1.057mA/cm2に達し,デバイスの初期性能の約9倍であることを示した。開回路電圧(V_oc)の変化は明らかではないが,デバイスの光電変換効率は著しく改善された。このデバイスの改善された光起電力性能は,多重分極後に形成される脱分極場とP-N接合における内蔵電場の複合効果による。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  光起電力 ,  *太陽電池 ,  電場 ,  *分極 ,  *強誘電性 ,  脱分極 ,  伝導バンド ,  多重化 ,  価電子バンド ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  光電変換効率 ,  短絡電流密度 ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 強誘電体 ,  太陽エネルギー材料 ,  薄膜

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子輸送層 ,  分子 ,  強誘電性 ,  ヘキサン ,  反転 ,  太陽電池 ,  分極