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J-GLOBAL ID:202202237924415219   整理番号:22A0228679

局所陽極酸化により得られた多層MoSe_2ナノ構造における光ルミネセンス増強【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence enhancement in multilayered MoSe2 nanostructures obtained by local anodic oxidation
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 015010 (11pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W5550A  ISSN: 2053-1583  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)の単層は魅力的な性質を示し,フォトニックおよび光電子デバイスを作製するのに有望であるが,最近,同じ材料に基づくバルク多層構造はナノフォトニクスに有用な多くの性質を明らかにした。この点に関して,1つのデバイス(単一フレーク上の)における単層と多層特性の組合せは,解決する必要のある重要で果実の多いタスクである。本研究では,金被覆基板上の多層MoSe_2フレークの光学的性質を改善するために,局所陽極酸化の使用を実証した。この方法を用いて,元の構造に比べて3桁までの強度で,異常に増強された光ルミネセンス(PL)を示すナノ構造を作製した。低周波Raman分光法は,このPL増強の性質が,ナノ構造内の層間の結合が激しく破壊されることを示した。これは,ナノ構造が準単層から成り,PLピークの強度および位置と良く一致することを意味する。ここでは,これらの準単層を形成する機構も提案した。したがって,この方法は導電性基板上の多層TMDCフレークを用いて準単層光学特性を有する領域を作製し,PL強度の増強を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
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半導体のルミネセンス  ,  無機化合物一般及び元素  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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