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J-GLOBAL ID：202202238040044006   整理番号：22A0324692

スピンコーティングIn_2S_3薄膜による広い表面バンドギャップを有する電着処理Cu(In,Ga)Se_2太陽電池の効率改善【JST・京大機械翻訳】

Efficiency improvement of electrodeposition-processed Cu(In,Ga)Se₂ solar cell with widen surface bandgap by spin-coating In₂S₃ thin film

著者 (11件)： Gao Qing (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photo-Electronic Technology, Ministry of Education, Tianjin 300350, PR China) ,  Cao Chun (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photo-Electronic Technology, Ministry of Education, Tianjin 300350, PR China) ,  Ao Jianping (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photo-Electronic Technology, Ministry of Education, Tianjin 300350, PR China) ,  Bi Jinlian (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communication Devices, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, PR China) ,  Yao Liyong (Tianjin Institute of Power Source, Tianjin 300384, PR China) ,  Guo Jiajia (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photo-Electronic Technology, Ministry of Education, Tianjin 300350, PR China) ,  Sun Guozhong (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photo-Electronic Technology, Ministry of Education, Tianjin 300350, PR China) ,  Liu Wei (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photo-Electronic Technology, Ministry of Education, Tianjin 300350, PR China) ,  Zhang Yi (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photo-Electronic Technology, Ministry of Education, Tianjin 300350, PR China) ,  Liu Fangfang (Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University, Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin, Engineering Research Center of Thin Film Photo-Electronic Technology, Ministry of Education, Tianjin 300350, PR China) ,  Li Wei (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communication Devices, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 578  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se_2(CIGSe)ベースの太陽電池は,その優れた性能のために,光起電力市場における有望な候補である。CIGSeの表面バンドギャップがデバイス特性を改善するために重要であることを報告した。しかし,前駆体層のポストセレン化過程において,Gaは背面接触で蓄積し,狭い表面バンドギャップをもたらす。本研究では,CIGSe膜の表面バンドギャップをCIGSe表面上のスピンコーティングIn_2S_3薄膜によって首尾よく広げた。CIGSe/In_2S_3スタックのアニーリング後に,硫黄は吸収層に取り込まれ,Cuの少ない表面組成が形成される。したがって,p型からn型へのCIGSeの表面反転が起こり,埋没したホモ接合の形成をもたらす。デバイス性能に及ぼす異なるIn_2S_3厚さの影響を調べた。CIGSe太陽電池に対する12.88%のチャンピオン効率はIn_2S_3のない参照デバイスに対して10.03%と比較して40nmIn_2S_3で得られた。しかし,CIGSe太陽電池の性能は40nm以上のIn_2S_3膜厚で劣化した。これらの結果は,適切なIn_2S_3膜厚が表面バンドギャップを増加させ,効率を促進するために重要であることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電力 ,  焼なまし ,  *太陽電池 ,  *電着 ,  *薄膜 ,  *効率化 ,  *ガリウム ,  *銅 ,  硫黄 ,  前駆体 ,  *スピンコーティング ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  デバイス特性 ,  セレン化反応 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CIGSe薄膜太陽電池 ,  スピンコーティング ,  In_2S_3薄膜 ,  硫黄の取り込み ,  表面バンドギャップ

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： スピンコーティング ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  電着 ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池 ,  効率改善