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J-GLOBAL ID:202202238427778161   整理番号:22A0975030

Heusler/MgOヘテロ構造における界面垂直磁気異方性の高スループット設計【JST・京大機械翻訳】

High-Throughput Design of Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy at Heusler/MgO Heterostructures
著者 (6件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 9734-9743  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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強磁性体/絶縁体界面での垂直磁気異方性(PMA)は,磁気記録やセンシングデバイスの分野のような重要な技術的応用を有する。強いPMAを有する垂直磁気トンネル接合(p-MTJs)は,それらが低エネルギー消費に対して高い安定性とデバイス性能を提供するので,最近関心が高まっている。ホイスラー合金は,p-MTJを開発するための有望な磁気特性を提供する化合物の大きなファミリーである。しかし,所望の界面特性を有するホイスラー強磁性体と絶縁体の適切な組合せを選択することは挑戦的である。ここでは,スピントロニクス技術のための強いPMAおよび他の望ましい材料特性を有する候補ホイスラー/MgO材料界面を探索するための系統的高スループットスクリーニングアプローチを報告する。開量子材料リポジトリに基づいて,生成エネルギー,凸包距離,磁気秩序,格子不整合,磁気異方性定数,劈開エネルギー,トンネル磁気抵抗を含む一連の材料記述子を開発し,可能な40000三元ホイスラー化合物間の候補ホイスラー/MgO界面をフィルタした。包括的スクリーニングの後,Co_2CrAl,Co_2FeAl,Co_2HfSn,Fe_2IrGa,およびMn_2IrGeを含む5つの完全ホイスラー化合物,および2つの半ホイスラー化合物,PtCrSbおよびPtMnAsが,p-MTJの設計に有望であることが分かった。本研究は,材料界面に対する大規模ab initio計算と共に,開放量子材料リポジトリの利用と効果的な材料記述子の開発によるスピントロニクス応用のための機能性材料界面の高スループット設計のための新しい方法を示した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (4件):
分類
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二次電池  ,  高分子固体の物理的性質  ,  塩基,金属酸化物  ,  電気化学反応 

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