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J-GLOBAL ID:202202238463761753   整理番号:22A0794754

ガンマ-バナジウム酸塩亜セレン酸塩多形のフラックス合成,結晶構造およびキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Flux synthesis, crystal structure, and characterization of a gamma-vanadate selenite polymorph
著者 (7件):
資料名:
巻: 308  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0505A  ISSN: 0022-4596  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ホウ酸フラックス法を用いたバナジウム酸塩亜セレン酸塩の探査は,新しい相,すなわちγ-V_2Se_2O_9に首尾よく導いた。単結晶X線回折は,a=7.4857(12)Å,b=7.4388(8)Å,c=13.042(2)Å,β=106.619(9)°の格子定数を有する単斜晶系空間群P2_1/cで結晶化する新しい構造を示した。その結晶構造は,Se(1)O_3三角形ピラミッドによってさらに架橋された1D[V_2SeO_9]4-鎖から成る新規な2D電気中性[V_2Se_2O_9]層を特徴とする。[V_2SeO_9]4-鎖はVO_6と三座Se(2)O_3のコーナー共有から成る。以前に報告されたα-およびβ-V_2Se_2O_9と,孤立[V_4O_18]16-テトラマーとは違って,VO_6八面体のコーナー共有はγ-V_2Se_2O_9中で1D[V_2O_9]8鎖へと導いた。X線粉末回折と熱挙動分析を行い,その相純度と熱安定性を研究した。Taucのフィッティングに関連した光拡散反射スペクトルは,2.34eVのエネルギー値を有する直接バンドギャップ半導体を示し,これは理論的予測と一致した。比較として,3つの多形の電子バンドギャップを調べ,一連のα-V_2Se_2O_9<β-V_2Se_2O_9<γ-V_2Se_2O_9を示した。状態密度も計算し,バンドギャップと結合相互作用の起源を明らかにした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 

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