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J-GLOBAL ID：202202238497888269   整理番号：22A0621377

ヘテロ原子(B,N)ドープ多孔質グラフェンと水素の相互作用:計算研究【JST・京大機械翻訳】

The interaction of hydrogen with heteroatoms (B, N)-doped porous graphene: A computational study

著者 (3件)： Chan Chen-Wei (Department of Chemistry, Chung Yuan Christian University, Chungli District, Taoyuan City, Taiwan) ,  Wu Shiuan-Yau (Department of Chemistry, Chung Yuan Christian University, Chungli District, Taoyuan City, Taiwan) ,  Chen Hsin-Tsung (Department of Chemistry, Chung Yuan Christian University, Chungli District, Taoyuan City, Taiwan)
資料名： Chemical Papers  (Chemical Papers)
巻： 76  号： 2  ページ： 1009-1017  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0475B  ISSN： 0366-6352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算に基づいて,ヘテロ原子(B,N)ドープ多孔性グラフェン上の水素の吸着能力を説明した。ヘテロ原子(B,N)ドープ多孔質グラフェン上の水素の吸着エネルギー(-0.117Ω~0.173eV)は,高性能吸着剤での最適吸着エネルギー(-0.1Ω-0.2eV)を満たし,多孔性とヘテロ原子ドーパントがH_2吸着に重要な役割を持つことを示す。さらに,この相互作用は,このシステムに正および負の電荷を適用することにより増強されることが分かった。より重要なことに,吸着エネルギーは,1つの正電荷を有するBドープ多孔質グラフェン上で-0.738eVまで劇的に増加することを実証した。正に荷電したBドープ多孔質グラフェン上のH_2吸着/脱着プロセスは,自発的で可逆的であり,追加の正電荷を注入/除去することによって容易に制御された。重量密度は正に荷電したBドープ多孔質グラフェン上で10.8wt%であると予測した。密度汎関数理論計算に基づいて,ヘテロ原子(B,N)ドープ多孔質グラフェン上の水素の吸着能力を調べた。計算結果から,正に荷電したBドープ多孔質グラフェン上のH_2吸着/脱着プロセスは,高速速度論で自発的で可逆的であり,付加的正電荷を付加/除去することによって容易に制御できることが分かった。Copyright Institute of Chemistry, Slovak Academy of Sciences 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  *原子 ,  *相互作用 ,  脱着 ,  *水素 ,  吸着剤 ,  *計算 ,  *ドーピング ,  水素吸蔵 ,  ドーパント ,  吸着エネルギー ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ原子 ,  正電荷 ,  第一原理計算 ,  吸着能力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ヘテロ原子ドープ多孔質グラフェン ,  水素吸着 ,  水素貯蔵容量 ,  計算研究

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： ヘテロ原子 ,  ドープ ,  多孔質 ,  グラフェン ,  水素 ,  相互作用 ,  計算 ,  研究