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J-GLOBAL ID：202202238575133327   整理番号：22A0461892

NbドープSrTiO_3-BiFeO_3系無鉛セラミックの微細構造と電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Microstructure and electrical properties of Nb-doped SrTiO₃-BiFeO₃ based lead-free ceramics

著者 (9件)： Wang Yuanyuan (School of Materials Engineering, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai, China) ,  Wang Yuanyuan (Shenzhen Institute of Advanced Electronic Materials, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen, China) ,  Liu Hongbo (School of Materials Engineering, Shanghai University of Engineering Science, Shanghai, China) ,  Yan Tingnan (Shenzhen Institute of Advanced Electronic Materials, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen, China) ,  Zhao Jianwei (Shenzhen Institute of Advanced Electronic Materials, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen, China) ,  Guo Shifeng (Shenzhen Key Laboratory of Smart Sensing and Intelligent Systems, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen, China) ,  Sun Rong (Shenzhen Institute of Advanced Electronic Materials, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen, China) ,  Lu Zhilun (School of Engineering and The Built Environment, Edinburgh Napier University, Edinburgh, UK) ,  Wang Dawei (Shenzhen Institute of Advanced Electronic Materials, Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen, China)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 105  号： 3  ページ： 2020-2028  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Nbドープ0.75SrTiO_3-0.25BiFeO_3(ST-BF)鉛フリーセラミックを設計し,通常の固相反応法を用いて合成した。微細構造,誘電および電気的性質に及ぼすNbドーピングの影響を系統的に調べた。Nb濃度の増加に伴い,ST-BFの結晶構造はX線回折パターンで示すように擬立方晶のままである。結晶粒径は0.33から6.23μmに増加し,その後,Nbドーピングにより1.88μmに減少し,明確な不均一コア-シェル微細構造を示した。比較的低い誘電損失(約0.1,1kHzで)と安定な誘電率(約700,1kHzで)が,室温で0.03NbドープST-BF組成で得られた。インピーダンス分光分析は,ST-BF中のNbドーピングが全抵抗を増加させ,導電性コアと非導電性シェルを形成し,活性化エネルギーを高めることを示した。結果は,キャパシタ応用のための新しいSTベースの鉛フリー誘電体セラミックを開発するための実現可能なアプローチを提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インピーダンス ,  活性化エネルギー ,  結晶構造 ,  固相反応 ,  コンデンサ ,  *セラミック ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  *ニオブ ,  *ドーピング ,  立方晶系 ,  結晶粒径 ,  導電性 ,  コアシェル構造

著者キーワード (5件)： BiFeO_3 ,  コア-シェル微細構造 ,  誘電特性 ,  インピーダンス ,  SrTiO_3

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： Nb ,  ドープ ,  セラミック ,  微細構造 ,  電気的性質