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J-GLOBAL ID：202202238766669405   整理番号：22A0388999

超伝導体-InAs/GaSb-超伝導体ヘテロ構造における電荷輸送スペクトル【JST・京大機械翻訳】

Charge transport spectra in superconductor-InAs/GaSb-superconductor heterostructures

著者 (7件)： Sun Kuei (Department of Physics, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, United States of America) ,  Bao Zhi-qiang (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai 200241, People’s Republic of China) ,  Yu Wenlong (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, United States of America) ,  Hawkins Samuel D (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, United States of America) ,  Klem John F (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185, United States of America) ,  Pan Wei (Sandia National Laboratories, Livermore, CA 94551, United States of America) ,  Shi Xiaoyan (Department of Physics, The University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, United States of America)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 8  ページ： 085703 (9pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaSb二層系における電荷輸送物理は,固体における二次元トポロジー超伝導状態の実験的探索のために最近注目されている。ここでは,タンタル超伝導体によって挟まれたInAs/GaSb量子井戸から成るナノデバイスの電荷輸送スペクトルの測定について報告する。ゲート電圧と外部磁場により制御された量子井戸中の電荷キャリア密度の関数として電流-電圧関係を調べた。3種類の微分抵抗ピークを観測したが,その全ては外部磁場により効果的に調整でき,その内2つはゲート電圧に依存しない電流で現れ,超伝導体とシステム形状から支配的な機構を示した。分光学的特徴を解析することにより,三つのタイプのピークは,それぞれ,デバイスにおけるAndreev反射,準粒子干渉,および超伝導遷移を同定することを見出した。著者らの結果は,InAs/GaSb系における可能なトポロジー超伝導状態の更なる探索のための基礎を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *超伝導 ,  電圧 ,  電流 ,  タンタル ,  *ヒ化インジウム ,  *スペクトル ,  二次元 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *超伝導体 ,  外部磁場 ,  Andreev反射
準シソーラス用語： *電荷輸送 ,  *ヘテロ構造 ,  ナノデバイス ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  GaSb ,  ヘテロ構造 ,  電荷輸送 ,  スペクトル