文献

J-GLOBAL ID：202202238979818814   整理番号：22A1073016

ナノポーラスCuめっきによるCu-Cu接合技術

Cu-Cu Bonding Technology by Electroplated Nanoporous Cu Structure

著者 (4件)： 古山大貴 (三菱マテリアル 三田工場) ,  井上順太 (三菱マテリアル 三田工場) ,  巽康司 (三菱マテリアル 三田工場) ,  片瀬琢磨 (三菱マテリアル 三田工場)
資料名： Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics  (Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics)
巻： 28th  ページ： 274-277  発行年： 2022年02月01日 
JST資料番号： L2496A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・ICチップの実装技術として多用されるフリップチップ実装技術として,当社は,C4バンプからμ-bumpまで対応可能なはんだめっき液を展開。
・更なる高密度化に向け,SLIDやはんだを用いないハイブリッドボンディング,Cu-Cuの直接接合等,Cu電極同士を直接接合する技術が開発。
・Cu-Cu電極同士の直接接合において,Cu表面形態の厳密な制御が課題であり,高さ均一性の制御,表面酸化膜の除去,表面活性の向上,高精度のCMPが必要。
・本研究では,低温焼結や特有の物性が期待できるナノポーラスCu(NP Cu)膜を電気めっき法で形成し,膜の表面形態や各物性を評価し,作製したNP Cuを用いた接合試験を実施。

シソーラス用語： 半導体チップ ,  *半導体素子 ,  電子技術 ,  実装 ,  ウエハ【IC】 ,  接合 ,  *銅めっき ,  電極 ,  ナノ材料 ,  めっき液 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  微小電極 ,  細孔構造
準シソーラス用語： ICチップ ,  *フリップチップ素子 ,  実装技術 ,  シリコンウエハ ,  *直接接合 ,  銅電極 ,  ナノポーラス材料 ,  表面形態

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電気めっき  (WC08023B)

引用文献 (5件)：

• “Interconnects for 2D and 3D Architectures”, HIR 2020 version, Chapter 22, (2020), pp.1-10.
• 折井靖光ら,“マイクロ接続技術の変遷と将来展望”,エレクトロニクス実装学会誌,Vol.12,No.7,(2012),pp.588-595.
• Adeel A et al.“Heterogeneous Integration at Fine Pitch (≤10μm) using Thermal Compression Bonding”, IEEE 67th ECTC., (2017), pp.1276-1284.
• Asisa Kumar Panigraphy et al.“Low Temperature Cu-Cu Bonding Technology in Three-Dimensional Integration:An Extensive Review”, J. Electron. Packag., Vol.140 (1), (2018).
• 日本金属学会編,“金属データブック”,丸善,改訂2版,(1984),pp.13.

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノポーラス ,  Cuめっき ,  Cu