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J-GLOBAL ID：202202239028250743   整理番号：22A0974892

CVD成長単分子層MoSe_2におけるバンドギャップくりこみにより誘起された広帯域非線形光吸収【JST・京大機械翻訳】

Broadband Nonlinear Optical Absorption Induced by Bandgap Renormalization in CVD-Grown Monolayer MoSe₂

著者 (4件)： Tian Xiangling (Zhejiang Laboratory, P.R. China) ,  Wei Rongfei (Department of Physics, Zhejiang Normal University, Zhejiang, P.R. China) ,  Ma Zhijun (Zhejiang Laboratory, P.R. China) ,  Qiu Jianrong (State Key Laboratory of Modern Optical Instrumentation, College of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Zhejiang, P.R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 6  ページ： 8274-8281  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超短時間スケールでの光変調は,フォトニックとオプトエレクトロニクスにおける応用にとって,中心の重要性と不可欠な操作の両方である。ここでは,フェムト秒パルスにより注入された高密度キャリアによる巨大バンドギャップ繰り込みにより,化学蒸着成長単層遷移金属ジカルコゲン化物MoSe_2における期待される広帯域可飽和吸収を実現した。著者らの知見は,0.80eVのポンプ励起の下で,約1.53から~0.52eVまでのバンド端シフトを明らかにし,これは,Mott転移後の電子-正孔状態の非平衡占有,ならびにキャリア温度の上昇によって誘起される。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  バンド構造 ,  *光吸収 ,  光変調 ,  励起 ,  *単分子層 ,  非平衡状態 ,  Mott転移 ,  *くりこみ ,  オプトエレクトロニクス ,  化学蒸着 ,  *広帯域 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 可飽和吸収 ,  フェムト秒パルス ,  バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 化学蒸着 ,  MoSe_2 ,  非線形光学 ,  可飽和吸収 ,  バンドギャップくりこみ

分類 (4件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (9件)： CVD ,  成長 ,  単分子層 ,  バンドギャップ ,  くりこみ ,  誘起 ,  広帯域 ,  非線形 ,  光吸収