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J-GLOBAL ID：202202239044192875   整理番号：22A1158814

Cサイト空孔欠陥グラフェン/h-BNへの水の吸着:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Adsorption of water on C sites vacancy defected graphene/h-BN: First-principles study

著者 (3件)： Neupane Hari Krishna (Amrit Campus, Institute of Science and Technology, Tribhuvan University, Kathmandu, Nepal) ,  Neupane Hari Krishna (Central Department of Physics, Institute of Science and Technology, Tribhuvan University, Kathmandu, Nepal) ,  Adhikari Narayan Prasad (Central Department of Physics, Institute of Science and Technology, Tribhuvan University, Kathmandu, Nepal)
資料名： Journal of Molecular Modeling  (Journal of Molecular Modeling)
巻： 28  号： 4  ページ： 107  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4628A  ISSN： 1610-2940  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ構造(HS),HSにおける空格子点欠陥,および2D材料の欠陥HS上の分子吸着を,好ましい電子および磁気特性の融合にアプローチを与える積層層を形成するための適性のため,応用のプロフュージョンのために,実験的に調べた。この状況において,グラフェン(Gr),六方晶窒化ホウ素(h-BN),グラフェン/h-BN(Gr/h-BN)のHS,およびGr/h-BN上の分子吸着は,電子,スピントロニクス,およびオプトエレクトロニックデバイスのための有望な展望を提供する。本研究では,van der Waals(vdW)補正DFT-D2アプローチ内のスピン偏極密度汎関数理論法に基づく第一原理計算を用いて,Gr/h-BN HSにおけるCサイト空孔欠陥の構造的,電子的および磁気的性質,および欠陥Gr/h-BN HS材料上への水分子の吸着を調べた。これらの考察した材料は安定な2D vdW HSであることを見いだした。バンド構造計算に基づいて,それらは半金属であり,状態密度と状態密度の状態密度で,それらは磁性材料である。これらの欠陥系で発達した磁気モーメントは,空格子点欠陥によって生成された材料中に存在する原子の軌道における不対スピンとダウンスピン状態に起因する。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  空格子点 ,  磁気モーメント ,  スピン分極 ,  計算 ,  素子構造 ,  状態密度 ,  二次元 ,  半金属 ,  窒化ホウ素 ,  *空孔欠陥 ,  密度汎関数法 ,  スピントロニクス ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DFT ,  ヘテロ構造 ,  磁気モーメント ,  分子吸着 ,  空孔欠陥

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 空孔欠陥 ,  グラフェン ,  h-BN ,  水 ,  吸着 ,  第一原理 ,  研究